지능형 전력 솔루션 업체인 온세미의 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC)는 에너지 인프라 및 산업용 응용 시스템에 적용되는 고효율 솔루션이다. 

1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)는 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션이다. 1700 V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170ANDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다.

 

재생 에너지 애플리케이션은 1100V ~ 1500V DC 버스(Bus)의 태양광 시스템을 통해 지속적으로 더 높은 전압으로 이동한다이러한 변화를 지원하기 위해 소비자는 더 높은 BV를 가진 MOSFET이 필요하다

1700V EliteSiC MOSFET -15V/25V의 최대 Vgs 범위로 작동하며 게이트 전압이 -10V까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 시스템 신뢰성을 제공한다.

40A(Amps)에서 1200V의 테스트 조건에서 1700V EliteSiC MOSFET 200nC의 게이트 전하(Qg)를 달성한다이는 300nC에 가까운 동급 경쟁 소자들과 비교해 시장을 선도하는 성능이다낮은 Qg는 빠른 스위칭고전력 재생 에너지 애플리케이션에서 고효율을 달성하는 데 중요하다.

1700V BV 정격에서 EliteSiC 쇼트키 다이오드는 최대 역 전압(VRRM)과 다이오드의 피크 반복 역 전압 사이에서 향상된 마진을 제공한다또한 새로운 소자는 25°C에서 40µA, 175°C에서 100µA의 최대 역방향 전류(IR)로 우수한 역 누설 성능을 제공한다이는 25°C에서 100µA의 정격을 가진 경쟁 제품들보다 훨씬 우수하다.




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