자동차 산업이 지능화와 상호 연결된 시스템으로 가속화됨에 따라 출시된 PANJIT의 자동차 등급 60V N채널 MOSFET 시리즈는 자동차용 전력 장치를 지원하는 SGT 기술을 특징으로 한다.

우수한 성능 지수(FOM), 초저 R DS(ON) 및 최소화된 커패시턴스를 제공하도록 설계된 이 시리즈는 전도 및 스위칭 손실을 모두 줄여준다. 이로 인해 자동차 전자 시스템의 성능과 에너지 효율성을 향상시킴으로써 우수한 전기적 성능을 제공한다.

DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA 및 TO-220AB-L을 포함한 다양한 소형 및 효율적인 패키지로 제공되는 60V N채널 SGT MOSFET은 다양한 전력 전자 애플리케이션에 적용된다. AEC-Q101 인증을 받은 이 MOSFET은 우수한 전도 및 스위칭 특성을 갖추고 있어 전력 변환, 구동 및 제어 애플리케이션에 이상적이다. 최대 175°C의 작동 접합 온도는 최신의 전자 제품에 최적의 설계 유연성을 제공한다.

SGT-MOSFET 제품은 IEC 61249 표준 및 EU RoHS 2.0을 준수하는 친환경 성형 컴파운드를 사용한 고성능의 안정적이고 환경 친화적인 솔루션이다.

SGT-MOSFET

차폐 게이트 트렌치(SGT) MOSFET은 전원 공급 장치, 산업 시스템 및 자동차 장치 전반에 걸쳐 고성능 애플리케이션에서 핵심 전력 제어 구성 요소로 널리 사용되는 주요 중전압 MOSFET이다. 트렌치 깊이가 증가함에 따라 고유한 전하 결합 구조는 수평 및 수직 고갈을 모두 가능하게 하여 항복 전압을 높이고 유사한 도핑 농도에서 우수한 성능을 발휘한다.

기존의 트렌치 MOSFET과 비교하여 SGT-MOSFET은 소스 전극에 연결된 게이트 전극 아래에 차폐 전극을 추가했다. 이 설계는 게이트와 드리프트 영역을 모두 효과적으로 차폐하여 밀러 커패시턴스를 줄이고 스위칭 손실을 낮춰준다. 또한 이 설계는 드리프트 영역의 임계 전기장을 줄여 총 게이트 전하(Q g , @R DS(on) 3 mΩ)를 57% 낮추고 성능 지수(FOM)를 크게 향상시킨다.

주요 특징

• SGT 기술: 효율성과 성능을 향상시켜 엄격한 전력 수요를 충족
• AEC-Q101 인증: 엄격한 자동차 및 산업 애플리케이션에 뛰어난 내구성을 보장
• 초저 저항: 전력 손실을 최소화하여 전력에 민감한 설계에서 에너지 효율성을 극대화
• 고전력 밀도 패키지: 견고한 전력 출력을 제공하는 소형 디자인으로 다양한 애플리케이션에 적용
• 높은 접합 온도: 최대 175℃의 온도를 견뎌내며 극한 조건에서도 안정적인 작동을 지원

대상 애플리케이션




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