온세미가 Qorvo로부터 현금 1억 1,500만 달러를 지불하고 실리콘 카바이드 접합 전계 효과 트랜지스터(SiC JFET) 기술 사업 및 United Silicon Carbide 자회사를 인수했다.

온세미는 SiC JFET 기술을 추가함으로써 기존의 EliteSiC 전력 포트폴리오를 보완해 AI 데이터 센터의 전원 공급 장치에서 AC-DC 단계에서 높은 에너지 효율성과 전력 밀도에 대한 필요성을 해결할 수 있게 되었다.

전기 자동차 애플리케이션에서 SiC JFET는 배터리 분리 장치에서 여러 부품들을 SiC JFET 기반 솔리드 스테이트 스위치로 대체하여 효율성과 안전성을 개선하는 데 도움이 된다. 산업용 최종 시장에서 SiC JFET는 특정 에너지 저장 토폴로지와 솔리드 스테이트 회로 차단기를 구현한다.

“이번 인수는 AI 데이터 센터, 자동차 및 산업 시장에서 가장 시급한 전력 밀도 및 효율성 문제를 해결하기 위해 고객에게 혁신적이고 시장을 선도하는 기술을 제공함으로써 전력 반도체 분야에서 온세미의 리더십을 더욱 강화할 것”이라고 언급한 온세미의 전력 솔루션 그룹 사장 겸 총괄 매니저인 사이먼 키튼은 “당사는 가장 포괄적인 전력 시스템 솔루션을 제공하는 데 있어 기술 리더십을 확대하기 위해 계속해서 혁신하고 투자할 것”이라는 포부를 밝혔다.

온세미에 대하여




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