Dr. Adam BarkleyVP, Power Technology Development
이 백서는 고전력 전자 애플리케이션을 위해 설계된 Wolfspeed의 4세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 기술을 강조한다. 최첨단 기술 솔루션을 공개해온 Wolfspeeds의 3세대 SiC MOSFET은 다양한 사례에 대한 중요한 설계 요소의 균형을 맞춰 하드 스위칭 애플리케이션에서 균형 잡힌 성능에 대한 벤치마크를 설정했다.
Wolfspeed의 설계 철학은 전도 손실, 스위칭 동작, 견고성 및 신뢰성을 동시에 최적화함으로써 포괄적인 성능을 보장한다. 이러한 노력은 4세대 MOSFET에서도 계속되어 Wolfspeed의 견고성과 내구성을 손상시키지 않으면서도 시스템 설계와 사용성을 간소화하는 향상된 지표를 제공한다.
고전력 자동차, 산업 및 재생 에너지 시스템을 대상으로 하는 4세대 MOSFET은 SiC 기술의 패러다임 변화를 반영했다. 이러한 소자는 애플리케이션에 최적화된 베어 다이, 모듈 및 이산 제품의 장기 로드맵을 가능하게 하는 다재다능한 기반을 제공한다. 4세대 기반의 설계는 전체적인 시스템 효율성, 뛰어난 내구성 및 낮은 시스템 비용이라는 세 가지 성능 벡터에 중점을 두고 있다.
상세 내용은 https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/gen-4-silicon-carbide-technology-redefining-performance-and-durability-in-high-power-applications/에 있다.
