차세대 전력 반도체 전문 기업으로 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 IC 및 실리콘 카바이드(SiC) 기술 분야를 아우르는 유일한 기업인 Navitas Semiconductor가 까다로운 자동차 및 산업용 애플리케이션의 시스템 수명 요건을 충족하는 새로운 차원의 신뢰성을 선보였다.
이 회사의 최신 650V 및 1200V ‘트렌치 지원 플래너’ SiC MOSFET은 최적화된 HV-T2Pak 상단 냉각 패키지와 결합되어 업계 최고 6.45mm의 연면 거리를 제공하여 최대 1200V 애플리케이션에 대한 IEC 규정을 준수한다.
Navitas의 HV-T2Pak SiC MOSFET은 시스템 수준의 전력 밀도와 효율을 크게 높이는 동시에 열 관리를 개선하고 보드 수준의 설계 및 제조를 간소화해준다. 주요 적용 분야로는 EV 온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터, 데이터센터 전원 공급 장치, 가정용 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템(ESS), EV DC 고속 충전기, HVAC 모터 드라이브 등이 있다.
AEC-Q101은 자동차 전자 위원회(AEC) 가 공통 부품 자격 및 품질 시스템 표준을 수립하기 위해 개발한 자동차 산업 표준이다 . Navitas는 업계 최초의 벤치마크인 ‘AEC-Plus’*를 개발하여 기존 AEC-Q101 및 JEDEC 제품 자격 표준보다 더 높은 수준의 자격을 갖췄다.
이 새로운 벤치마크는 Navitas가 시스템 수준의 수명 요건에 대한 깊은 이해와 자동차 및 산업 애플리케이션의 까다로운 미션 프로파일을 위한 엄격하게 설계 및 검증된 제품을 구현하고자 하는 강력한 의지를 보여준다.
‘AEC-Plus’ 자격 기준은 엄격한 다중 로트 시험 및 자격 심사까지 더욱 확대된다. 기존 AEC-Q101 요건에 추가된 주요 내용은 다음과 같다.
- 엄격한 애플리케이션 미션 프로필을 표현하기 위한 동적 역방향 바이어스(D-HTRB) 및 동적 게이트 스위칭(D-HTGB)
- 2배 이상 긴 전력 및 온도 주기
- 정적 고온, 고전압 테스트(예: HTRB, HTGB)의 경우 3배 이상 더 긴 지속 시간
- 과부하 작동 능력에 대한 200°CT JMAX 인증
Navitas의 HV-T2Pak 상단 냉각 패키지는 업계 표준의 컴팩트 폼 팩터(14mm x 18.5mm)로, 패키지 몰드 화합물의 혁신적인 홈 설계로 최적화되었으며 노출된 열 패드 크기를 줄이지 않고도 크리피지를 6.45mm로 확장하여 최적의 방열을 보장한다.
또한 노출된 열 패드에는 기존 TSC 패키지 솔루션의 주석(Sn) 도금과 달리 니켈, 니켈-인(NiNiP) 도금이 되어 있다. 이는 노출된 패드의 리플로우 후 표면 평탄성을 유지하고 열 인터페이스 재료(TIM)에 대한 열 효율적이고 안정적인 부착을 보장해준다.
