iDEAL Semiconductor가 SuperQ™ 기술을 이용해 대량 생산에 돌입한 150V MOSFET을 내놓았다. 200V MOSFET 제품군은 샘플 공급 중이다.
SuperQ는 25년 만에 실리콘 MOSFET 설계 분야에서 최초로 달성된 중요한 발전으로 실리콘 전력 소자에 탁월한 성능과 효율을 제공한다. 이 아키텍처는 실리콘의 근본적인 스위칭 및 전도 장벽을 뛰어넘어 n형 전도 영역을 거의 두 배(최대 95%)로 늘리고 경쟁 소자 대비 스위칭 손실을 최대 2.1배까지 줄여준다.
이 구조는 실리콘의 장점인 견고성, 대량 생산 가능성, 175°C 접합 정격에서 입증된 신뢰성을 유지하면서 저항과 전력 손실을 개선했다.
iDEAL의 150V MOSFET 시리즈의 첫 번째 제품인 iS15M7R1S1C는 6.4mΩ MOSFET이다. 5 x 6mm PDFN 패키지로 즉시 구매 가능하며 SMT 패키지는 노출 리드를 포함하여 조립을 간소화하고 보드 레벨의 신뢰성을 향상시켜준다.
200V 제품군에는 11.5 x 9.7mm TOLL 패키지의 6.1mΩ MOSFET인 iS20M6R1S1T가 포함된다. 이 제품 의 RDSon 은 6.1mΩ로, 현재 업계 선두 제품보다 10%, 차순위 경쟁사보다 36% 낮다. TOLL, TO-220, D2PAK-7L 및 PDFN 패키지의 200V MOSFET 샘플도 제공된다.
조만간 출시 예정인 300V 및 400V MOSFET 플랫폼은 기존의 실리콘 기술로는 충분히 처리되지 않는 획기적인 제품이 될 것으로 보인다. iDEAL의 새로운 소자들은 기존 솔루션보다 획기적으로 낮은 저항을 제공하도록 설계되어 효율성과 성능 면에서 새로운 가능성을 열어주고 있다.
