Renesas가 800V HVDC 아키텍처, 전기 자동차 충전, UPS 배터리 백업 장치, 배터리 에너지 저장 장치 및 태양광 인버터를 포함하여 AI 데이터 센터와 서버 전원 공급 시스템을 위한 650V GaN FET 3종을 출시했다.
수 킬로와트급 애플리케이션을 위해 설계된 이 4세대 이상(Gen IV Plus) 소자들은 고효율 GaN 기술과 실리콘 호환 게이트 드라이브 입력을 결합한 것이 특징이다.
실리콘 FET의 작동 단순성을 유지하면서도 스위칭 전력 손실을 줄여주는 이 소자들은 TOLT, TO-247 및 TOLL 패키지 옵션으로 제공된다. 엔지니어들은 특정 전원 아키텍처에 맞게 열 관리 및 보드 설계를 정의할 수 있는 유연성을 갖게 된다.
이번에 출시된 TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS 및 TP65H030G4PQS 소자들은 작년 6월에 인수했던 Transphorm의 검증된 고갈 모드(d-모드) 정상 꺼짐 아키텍처인 SuperGaN 플랫폼을 기반으로 제작되었다.
회사측에 따르면 이 소자들은 이전 Gen IV 플랫폼보다 14% 더 작은 다이에서 생산되며 30mΩ의 더 낮은 RDS(on)을 달성하여 온 저항을 14% 줄였다. 온 저항 출력-커패시턴스-곱 성능 지수(FOM)를 20% 향상시킨 것도 주목할 만하다.
