인피니언 테크놀로지스(한국대표 이승수)는 저잡음 증폭기(LNA, Low Noise Amplifier) 애플리케이션을 위한 새로운 SiGe:C(Silicon-Germanium: Carbon, 실리콘게르마늄 탄소) HBT(hetero-junction bipolar transistor) 디바이스 시리즈를 출시했다.
신형 BFx840xESD 시리즈는 현재 및 차세대 WiFi® 액세스 포인트와 모듈을 포함해 5~6GHz 범위에서 동작하는 소비가전 무선 제품을 위해 최적화되었다. 새로운 트랜지스터를 사용하면 설계자들은 전체 WiFi 시스템의 성능을 향상시켜, 곧 발표될 IEEE 802.11ac 표준에 정의되어 있는 보다 넓은 커버리지 영역과 매우 높은 쓰루풋을 모두 달성할 수 있다. 새로운 디바이스의 추가적인 애플리케이션으로는 WiMAX, UWB 무선, 위성 통신 등이 있다.
인피니언의 8세대 SiGe:C 공정 기술은 5GH 대역의 고유한 전력 및 잡음 매칭 기능을 통해 제작되었기 때문에 WiFi LNA 애플리케이션 회로에서 단지 8개의 외부 수동 소자와 단일 인덕터만(경쟁제품 대비 4개 적음)으로 최상의 시스템 성능(18dB 이득 및 0.96dB 잡음 지수)을 달성한다.
인피니언 테크놀로지스의 RF 트랜지스터 솔루션 마케팅 담당인 호셈 쵸익(Houssem Chouik)씨는 “인피니언 SiGe:C 포트폴리오의 진화는 설계자들에게 콤팩트한 저전력 무선 시스템에서 RF 성능 목표를 달성할 수 있는 수단을 제공한다.”면서 “인피니언의 8세대 HBT 공정 기술에 기반하고 있는 이들 신형 디바이스들은 경쟁 제품들의 RF 성능 수준 이상을 충족 하였으며, 시스템 설계에 필요한 수동 소자의 수를 줄임으로써 비용을 절감한다.”고 말했다.
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