Darren Chen, Sr. Application Engineer, Diodes Incorporated
실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 우수한 스위칭 속도, 낮은 전도 손실, 고온 성능 덕분에 고효율 및 고전력 밀도 전력 변환 시스템에서 점점 더 많이 채택되는 추세이다.
그러나 SiC 소자의 빠른 전압 슬루 속도(dV/dt)는 특히 하프브리지 및 풀브리지 토폴로지에서
키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies)와 윈 세미컨덕터스(WIN Semiconductors)가 GaN MMIC 설계 업체들이 첫 번째 시도에서 테이프아웃에 성공할 수 있도록 지원하는 공동 MMIC 설계 워크플로우를 내놓았다.
이 워크플로우는 온칩 멀티 도메인 시뮬레이션, 검증을 포함한 3D 레이아웃, 그리고 오프칩 MMIC 평가 보드 설계를 단일 환경으로 통합한다. 이로써
USI(Universal Scientific Industrial) 기판 및 모듈 통합 기술을 활용해 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 다층 ABF 기판에 내장하는 첨단 전력 반도체 패키징 기술을 내놓았다. 이 기술은 세라믹 기판 절연 및 와이어 본딩이 없는 구조를 업계 표준 전력 패키지에 통합하는 단면 구리 노출(SSC) 모듈 패키징을
공진형 무선 충전은 시스템이 온도를 모니터링하고 그에 따라 전력을 조절함으로써 배터리 셀의 수명을 유지한다. 스마트 펌웨어는 제한을 설정하고 설정값을 협상하며 조건 변화에 따라 전류를 점진적으로 감소시킨다. 따라서 잘 설계된 플랫폼은 세심하게 관리되는 유선 충전 방식과 유사한 배터리 수명을 제공한다.
공진형 무선 충전은 더욱
유기 전자 연구의 발전은 에너지 수확, 감지 및 발광을 결합한 다기능 전자 표면에 대한 관심을 가속화시키는 추세이다. 유기 태양 전지(OPV), 유기 산화물 박막(OLED) 및 유기 반도체 기술 간의 이러한 융합은 미래의 전자 기기 시장 확장에 지속 가능한 제조 방식의 중요성을 더해주고 있다.
이에
자동차 OEM 업체들이 전동화 목표 달성에 대한 압박에 직면하고 있지만 차량 가격, 안전성, 주행 거리, 충전 인프라 부족은 전기차 보급 확대를 가로막는 장벽으로 남아 있다. Wolfspeed가 이를 해결하기 위해 선보인 5세대 기술은 차세대 1200V 및 750V 자동차 및 산업용 애플리케이션의 효율성을 향상시켜준다.
Navitas Semiconductor의 UHV-TO-247-4-ISO 패키지는12mm 이상의 핀 간 연면 거리와 6000V 이상의 통합 절연 성능으로 고성능 개별 전력 소자의 새로운 기준을 제시한다.
이 패키지는 1200V~3300V GeneSiC SiC MOSFET용으로 특별히 설계되어 컴팩트한 개별 소자 형태로 모듈형 성능을 제공한다. 표준 비절연 스루홀 패키지와 달리 외부 고전압
KnowMade가 SiC 기술에 특화된 두 가지 특허 모니터링 서비스인 SiC 기판 및 에피택셜 웨이퍼 특허 모니터와 SiC 전력 소자 및 모듈 특허 모니터를 출시했다.
이 솔루션들은 연구 개발, 지적 재산권, 전략 및 사업 개발 팀이 특허 데이터 세트, 분기별 업데이트 및 KnowMade의 새로운
최근, 웨어러블 기기 및 모바일 기기, IoT 기기 등 배터리 구동 전자기기가 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 기기에 탑재되는 디바이스에는 디자인성 향상 및 신기능 실장을 위한 소형화와 더불어 배터리 구동 시간 연장을 위한 저소비전력화가 요구되고 있다.
이에 따라 로옴 (ROHM) 이 고효율과 초저소비전류를 동시에
작성: Nick Grillone, Same Sky
전력 릴레이는 서모스탯이나 컨트롤러가 주전력(실전력)을 스위칭(구동)하게 해 주는, 조용하지만 중요한 매개 장치입니다. 압축기가 기동하거나, 팬이 회전하거나, 열선이 켜지거나, 히트펌프가 흐름을 반전시킬 때마다 릴레이는 상태 간 전환을 깨끗하고 반복 가능하며 안전하게 수행해야 합니다.
HVAC 시스템은 높은 돌입전류, 잦은 사이클링, 넓은
