산업, 소비가전, 인프라 및 IoT 애플리케이션 전반에 걸쳐 커넥티드 제품 활용이 보편화됨에 따라 제품의 전체 수명주기에 걸쳐 사이버 보안 대응이 필수 과제로 떠오르고 있다.
2027년 12월부터는 다른 기기나 네트워크에 직접 또는 간접적으로 연결되는 하드웨어나 소프트웨어 등의 디지털 요소가 포함된 제품은 유럽연합(EU)의 사이버
전고체 배터리 기술은 안전성 향상, 충전 시간 단축 및 에너지 밀도 향상이라는 고유의 가능성을 가지고 수년 동안 개발을 거쳐왔다. 이는 자동차 분야의 전기화로 인해 더욱 가속화되는 추세이다.
배터리는 집전체, 음극, 양극, 전해질이라는 네 가지 주요 구성 요소로 구성된다. 최근 수십 년 동안 전자
ASIC 설계 서비스 및 IP 분야 전문기업 패러데이 테크놀로지가 UMC의 14nm FinFET 공정을 기반으로 실리콘 검증을 완료한 MIPI C/D Combo PHY IP를 공급한다.
이 IP는 고성능 카메라 및 센서 인터페이스가 필요한 비전 AI, 머신비전, 스마트 이미징 및 기타 첨단 SoC 애플리케이션을 위한 비용
안리쓰코퍼레이션이 무선 커넥티비티 테스트 세트(Wireless Connectivity Test Set) MT8862A에 차세대 무선랜(WLAN) 규격인 Wi-Fi 8(IEEE 802.11bn)과 블루투스® LE(Low Energy)를 위한 RF 특성 평가 옵션을 새롭게 개발해 출시했다.
두 무선 기술의 RF 특성을 단일 플랫폼에서 평가할 수 있어 개발 효율을 높이고 테스트 환경을 최적화하는 데
AI 워크로드가 현대 데이터센터의 전력 요구사항을 새롭게 정의하고 있다. GPU 성능 향상과 서버 랙 밀도 증가로 800VDC 또는 ±400VDC 전력 공급 아키텍처로의 전환이 가속화되는 추세.
이러한 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스가 서버 ODM 및 OEM을 위한 27kW 3상 전원공급장치(PSU) 솔루션을 출시했다.
이 레퍼런스
자원을 지속적으로 재사용하여 지속가능성을 향상시키는 순환 경제로의 전환이 더욱 중요해지고 있다. 유럽에서는 제품에 대한 추적 정보를 디지털 방식으로 관리하고 제공하는 디지털 제품 여권(Digital Product Passport: DPP) 도입을 위한 여러 계획이 진행 중인데 이를 통해 기업과 조직은 제품을 재활용하는 새로운 방법을 모색해야 한다.
DPP의
Cambridge GaN Devices(CDG)의 GaN 트랜지스터인 ICeGaN 씨리즈는 업계 최초로 특수 게이트 드라이버, 구동 회로 또는 고유한 게이트 전압 클램핑 메커니즘 없이 실리콘 MOSFET처럼 동작할 수 있는 향상 모드 소자이다. 이 제품들은 캐스케이드 또는 다이렉트 드라이브 구성에서 GaN과 Si MOSFET을 결합할 필요 없는
리눅스에서 일반 사용자 권한만으로 시스템 최고 권한인 관리자(root) 권한을 탈취할 수 있고, 최신 안드로이드 기기에도 영향을 줄 수 있는 커널 취약점이 발견됐다.
서울대학교 공과대학 전기정보공학부 시스템 및 소프트웨어 보안 연구실의 이병영 교수팀이 리눅스 커널 취약점 ‘Bad Epoll’(CVE-2026-46242)을 발견하고 실제 공격 가능성을 입증했다. 연구진은
검증된 표준 기반의 하드웨어 및 소프트웨어 제품으로 개발 시간을 획기적으로 단축하는 임베디드 솔루션 기업 마이크로(MIKROE)가 자사 멀티 아키텍처 통합개발환경(IDE) ‘NECTO Studio’를 통해 12개 벤더의 10,000개 이상 마이크로컨트롤러(MCU) 지원을 달성했다.
이는 임베디드 개발자들이 새로운 툴셋 사용법을 익힐 필요 없이 단일 플랫폼 환경에서 현재
녹색 전환(GX)을 향한 움직임이 탈탄소화 사회를 실현하기 위해 가속화됨에 따라, 전기를 효율적으로 변환하는 전력 반도체에 대한 수요가 증가하고 있다. 특히 산업 부문에서는 전력 소비를 더욱 줄이기 위해 3레벨 회로의 채택이 증가하고 있는데, 이는 기존 2레벨 회로보다 더 높은 효율과 작은 주변 부품을
