Author: Hordon Kim

Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.

피라미드형 GaN 마이크로 LED를 아시나요?

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스웨덴의 Polar Light Technologies가 실리콘 칩의 인듐 패드에 직접 접합된 새로운 개념의 질화갈륨(GaN) 피라미드형 마이크로 LED 개발에 성공했다. LED가 아래에서 위로 제작되는 이 새로운 방법은 기존의 탑다운 방식에서 볼 수 있는 표면 손상을 피하고 훨씬 더 나은 광학 성능을 제공하는 것으로 알려졌다. 피라미드

Vishay Intertechnology의 자동차 등급 필름 전력 저항기

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Vishay Intertechnology의 자동차 등급 SMD 타입 필름 전력 저항기는 AEC-Q200 인증을 받은 제품으로 다중 펄스 기능과 25°C에서 35W의 높은 전력 소모를 특징으로 한다. TO-263(D2PAK) 패키지의 표준 제품들과 비교했을 때 이 소자는 다중 및 반복 펄스 사용에 대해 더 높은 전력 소모와 안정성을 제공한다. 이

베리실리콘, LVGL과 협력하여 웨어러블 등 기기용 고급 GPU 가속화 지원해

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베리실리콘(VeriSilicon)이 선도적인 임베디드 시스템용 오픈소스 그래픽 라이브러리인 LVGL과 전략적 파트너십을 체결하고 LVGL 라이브러리 내에서 베리실리콘의 저전력 3D 및 VGLite 2.5D GPU 기술을 지원한다. 이번 파트너십의 목표는 다양한 임베디드 애플리케이션의 성능을 최적화하고 그래픽 처리 기능을 확장하는 것이다. 베리실리콘은 LVGL 에코시스템에 3D GPU 기술을

Teledyne, 인라인 3D 측정 및 검사용 소프트웨어 도구 출시

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Teledyne DALSA가 인라인 3D 머신 비전 애플리케이션을 위해 개발된 소프트웨어 도구 모음인 Z-Trak™ 3D Apps Studio를 출시했다. Teledyne DALSA의 Z-Trak 레이저 프로파일러 제품군과 함께 작동하도록 설계된 이 제품은 생산 라인에서 3D 측정 및 검사 작업을 간소화해준다. 다양한 표면 유형, 크기 및 기하학적

제한 전력 소스(LPS) 기능을 갖춘 Ideal Diode Protection Switch

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Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)의 이상 다이오드 보호 스위치들은 고성능 노트북, 개인용 컴퓨터, 모니터, 도킹 및 기타 Type-C 포트 애플리케이션과 같이 최대 100W의 다중 포트 Type-C PD 3.0 전류 싱킹 애플리케이션에 적합한 소자들이다. USB Type-C 효율성과 안전성을 강화하도록 설계된 AOZ1390DI는 LPS(Limited Power Source)

xEV 시스템의 고전압화에 대응하는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드

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최근 보급이 가속화되는 xEV에 탑재되는 OBC 등에는 파워 반도체가 꼭 필요하기 때문에 발열이 적고 고속 스위칭 성능과 고내압 성능을 겸비한 SiC SBD의 수요가 높아지고 있다. 특히 어플리케이션의 생산성 향상을 위해, 마운터로 실장 가능한 소형 표면 실장 (SMD) 패키지 제품에 대한 요구가 늘어나는

“차세대 전기 자동차용 고성능 실리콘 카바이드 웨이퍼 기술이 진보한다”

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프랑스의 웨이퍼 전문 생산업체인 Soitec이 Resonac 기판과 에피택시 공정을 사용하여 200mm(8인치) SmartSiC™ 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼를 개발한다. 이를 통해 Soitec은 일본 및 기타 국제 시장에서 Soitec의 고수율 실리콘 카바이드 기술을 구축하게 된다. SmartSiC™ 실리콘 카바이드는 전기 이동성 및 산업 공정을 위한 고성장 전력

GaN-on-SiC 기술 개발 프로젝트 진행된다

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MACOM Technology Solutions가 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 애플리케이션을 위한 실리콘 카바이드(SiC) 공정 기술에 질화갈륨(GaN)을 구축하는 개발 프로젝트를 주도한다. 미국 국방부(DoD)를 통한 CHIPS 및 과학법에 따라 자금이 지원되는 이 프로젝트는 고전압 및 밀리미터파(mmW) 주파수에서 효율적으로 작동하는 GaN 기반 소재 및 모노리식 마이크로파 집적 회로(MMIC)를

Navitas, GaN 및 SiC로 구동되는 세계 최초 8.5kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치 출시

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전력 반도체 기업이자 질화갈륨(GaN) 전력 IC 및 탄화규소(SiC) 기술 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor 가 차세대 AI 및 하이퍼스케일 데이터 센터를 위해 98% 효율을 달성하는 GaN 및 SiC 기술로 구동되는 세계 최초의 8.5kW 전원 공급 장치(PSU)를 발표했다. AI로 최적화된 54V 출력 PSU는 Open Compute Project(OCP) 및 Open Rack