울프스피드, 나비타스를 상대로 특허 소송 제기

울프스피드가 미국 델라웨어 지방법원에 나비타스 반도체(Navitas Semiconductor)를 상대로 특허 침해 소송을 제기했다. 나비타스는 소송에서 자사의 다양한 제품들이 자사의 여러 특허, 특히 미국 특허 번호 8,169,005, 10,998,418, 10,886,396, 10,749,443, 11,888,392를 침해했다고 주장했다. 침해 혐의를 받는 제품에는 GaN 기반 FET(예: GaNFast®, GaNSlim™, GaNSafe® 제품군)를 포함한

고방열, 고내압의 SiC MOSFET의 상면 방열 패키지 개발돼

로옴 (ROHM)이 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발했다. 신제품은 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써, 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현했다. 이 패키지 제품은 xEV (전동차)의 온보드 차저 (OBC)나 전동 컴프레서 등에서 전력

DigiKey, 지속 가능한 설계위한 첨단 전자 기술 조명

DigiKey가 Sustainable Futures 동영상 시리즈의 두 번째 시즌 공개 소식을 전했다. 이번 시리즈는 인프라에서 지능형 기술에 이르기까지 첨단 전자 기술이 어떻게 산업 전반에 걸쳐 더 깨끗한 에너지, 더 스마트한 시스템, 그리고 더 지속 가능한 설계를 가능하게 하는지 살펴본다. Harwin과 Analog Devices가 후원하는 Sustainable Futures는 효율적인

인피니언, 세계 최대 규모의 전력 반도체 및 아날로그/혼합신호 팹 개소

인피니언 테크놀로지스가 독일 드레스덴의 스마트 파워 팹을 예정보다 앞당겨 개소했다. 총 50억유로가 투자된 이 공장은 인피니언 역사상 최대 규모의 단일 투자 프로젝트이자 독일 내 최대 규모 투자 프로젝트 중 하나로, 1000개의 신규 일자리를 창출한다. 이번 신규 공장으로 드레스덴 생산 능력은 두 배로 확대되며,

전원 공급 장치 설계를 위한 최신 도구

거의 모든 전자 회로들은 전원 공급 장치를 필요로 한다. 따라서 대부분의 설계 엔지니어는 회로에 전원을 공급하기 위한 전원 공급 솔루션을 고안해야 한다. 이러한 작업을 간소화하기 위해 시간이 지남에 따라 광범위한 전원 공급 도구 체인이 개발되었다. 이 체인은 전원 시스템 설계 도구, 전원

[Hot] 정격 최대 출력 630kW의 전력 변환 시스템

배터리 에너지 저장 시스템(BESS)은 전력 변환 시스템(PCS)이 주로 스토리지 요소 사이에 연결되는 DC 배터리 팩 역할을 한다. AC 전력망은 통제되고 안전하며 효율적인 양방향 전력 전환을 가능하게 한다. 이튼의 정격 최대 출력 630kW Eaton xStorage 93PCS는 일반적인 상업용 및 산업용 BESS에 적합하다. On/Off 그리드

태양광+GaN=전기차 충전 방식의 혁신

영국에 소재한 닛산 유럽 기술 센터의 주도로 정부 지원을 받는 1천만 파운드 규모의 혁신적인 연구 프로젝트가 주목받고 있다. 프로젝트 SUITE(Smart Use of Integrated Technology for EVs: 스마트 통합 기술 활용을 통한 전기차 보급)로 명명된 이 이니셔티브는 가정용 에너지 및 공공 충전 비용 상승 문제를 해결하고 전기차의 효율성, 경제성 및 지속가능성을 향상시키는 것을 목표로

GaN MMIC 설계 위험 감소시키는 워크플로우

키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies)와 윈 세미컨덕터스(WIN Semiconductors)가 GaN MMIC 설계 업체들이 첫 번째 시도에서 테이프아웃에 성공할 수 있도록 지원하는 공동 MMIC 설계 워크플로우를 내놓았다. 이 워크플로우는 온칩 멀티 도메인 시뮬레이션, 검증을 포함한 3D 레이아웃, 그리고 오프칩 MMIC 평가 보드 설계를 단일 환경으로 통합한다. 이로써