업계 최저 RDS(ON) 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET

자동차 OEM 업체들이 전동화 목표 달성에 대한 압박에 직면하고 있는 가운데 차량 가격, 안전성, 주행 거리, 충전 인프라 부족은 전기차 보급 확대를 가로막는 장벽으로 남아 있다. 이에 따라 Wolfspeed가 차세대 1200V 및 750V 자동차 및 산업용 애플리케이션에서 효율성 측면에서 상당한 성능

입방형 GaN 마이크로LED 기술, 광통신 애플리케이션에서 기가헤르츠 스위칭 속도를 구현할까?

쿠보스 반도체가 자사의 입방형 GaN 기술 개발을 가속화하기 위해 210만 달러 이상의 투자 유치에 성공했다. 이번 투자에는 영국 연구혁신청(UKRI) 산하 이노베이트 UK(Innovate UK)의 성장 촉진 프로젝트 보조금 수여분이 포함된다. 이 보조금을 통해 쿠보스의 특허받은 입방형 GaN 마이크로LED 기술이 광통신 애플리케이션에서 낮은 전력 소비로

열화 현상을 해결한 6.5kV SiC MOSFET

NoMIS Power의 6.5kV 대형 다이 SiC MOSFET은 8kV 이상의 차단 전압, 90mΩ의 온 저항, 55A의 드레인 전류를 특징으로 한다. 한편 이 제품은 현재 미국 고객사들을 대상으로 샘플링 진행 중이다. 온 저항 변형 제품, 소형 다이 소자, 하이브리드 접합-장벽 쇼트키 FET(JBSFET) 소자, 독립형 다이오드를

Ambiq’s ultra-low power SoCs feature scalable edge AI and platform enhancements for intelligent devices

Ambiq Micro unveiled Apollo330 Plus and Apollo510 Lite SoC series designed to help manufacturers bring high-performance, power-efficient edge AI devices to market faster, are now available.  The Apollo330 Plus and Apollo510 Lite series span six variants—Apollo330 Plus, Apollo330B Plus, Apollo330M Plus, Apollo510 Lite, Apollo510B Lite, and

[Hot] 자동차 USB Type-C 충전 설계를 간소화하는 동기식 벅 컨트롤러

집적 자동차 규격* 동기식 벅 컨트롤러와 USB Type-C® PD3.1 소스 컨트롤러를 결합한  Diodes의 동기식 벅 컨트롤러는 외부 부품 수를 줄이고, BOM 비용을 낮추며, 고출력 USB Type-C 충전 포트 설계를 간소화해준다. 이 소자는 4V~36V 입력 전압에서 작동하며, USB PD3.1 확장 전력 범위(EPR) 및 최대

Diodes, ElevATE Semiconductor 인수로 아날로그 및 혼성 신호 분야 사업 확대해

Diodes가 지난 달 ElevATESemiconductor)를 2억 5천만 달러의 현금으로 인수했다. ElecATE Semiconductor는 자동 테스트 장비(ATE) 산업용 집적 회로(IC) 개발 전문 업체이다. 이로써 최저 전력 소비와 최고 밀도의 솔루션 설계를 통해 복잡한 ATE 과제를 해결하고, 가능한 한 가장 낮은 테스트 비용을 제공하려는 Diodes의

‘제로’ 전류 소비 달성한 다기능 부하 스위치 IC

토렉스 세미컨덕터의 XC8115/XC8116 시리즈는 0μA 전류 소비를 달성하는 다기능 부하 스위치 IC이다. 초저전력 소비, 공간 절약, 최대 105°C까지 동작, 전력 시퀀스 제어에 필요한 기능을 갖춘 이 다기능 부하 스위치 IC는 산업용 장비와 가전제품 등 다양한 응용 분야에서 적용된다. XC8115/XC8116 시리즈의 가장 중요한 특징은