미쓰비시전기의 4.5kV/1,200A XB 시리즈 고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(HVIGBT) 제품군에 새로이 추가된 표준 절연(6.0kVrms) 및 고절연(10.2kVrms) 모듈은 높은 내습성을 제공하여 철도 차량과 같이 옥외를 포함한 다양한 환경에서 작동하는 대형 산업 장비에 사용되는 인버터의 효율성과 신뢰성을 향상시킨다. 이 고용량 전력 반도체는 미쓰비시전기의 독자적인 RFC(Relaxed
Author: 이철민 기자
파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.
Mitsubishi Electric ships samples of four Trench SiC-MOSFET bare dies for power semiconductors
Mitsubishi Electric will begin shipping samples of four new trench1 silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC-MOSFET) bare dies (chips not encased in protective housing) designed for use in power electronics equipment, such as electric vehicle (EV) traction inverters,2 onboard chargers,3 and power supply systems for
“전기 1%를 아껴라”… 기후 위기 시대, ‘보이지 않는 영웅’ 전력반도체의 재발견
Wolfspeed, 300mm 실리콘 카바이드(SiC) 기술 혁신 달성
Wolfspeed achieves 300mm SiC technology breakthrough
Wolfspeed announced a significant industry milestone with the successful production of a single crystal 300mm (12-inch) silicon carbide wafer. Backed by one of the industry’s largest and foundational silicon carbide IP portfolios, comprising more than 2,300 issued and pending patents worldwide, Wolfspeed
