[subhead] Navitas Semiconductor will showcase its latest GaN and SiC products for AI data center, energy and grid infrastructure, and industrial electrification at PCIM 2026. Product highlights include the latest in Navitas GaNFast FETs starting from 0.8 mOhms at 100 V to 11 mOhms at
Author: 이철민 기자
파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.
Cyient, 인도 최초의 GaN 전력 IC 제품군 출시
BluGlass, 단일 모드 GaN 레이저 성능 최고 기록 달성해
주요 셀 포맷을 지원하는 배터리 셀 접촉 시스템
Toshiba begins to ship test samples of 1200V trench-gate SiC MOSFET for next-generation AI data centers
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation started shipping test samples of “TW007D120E,” a 1200V trench-gate SiC MOSFET primarily intended for power supply systems in next-generation AI data centers that is also suitable for use in renewable energy-related equipment. With the rapid expansion of generative
