첨단 화합물 반도체 기술 플랫폼을 갖춘 순수 재생 웨이퍼 파운드리인 Sanan IC(Sanan Integrated Circuit Co., Ltd.)는 RF 마이크로파 및 밀리미터파 회로 설계를 전문으로 하는 영국 기반 디자인 하우스인 Plextek RFI를 갈륨의 승인된 리소스로 인정했다.
신흥 5G 시장에서 비소(GaAs) 단일체의 마이크로파 집적회로(MMIC) 설계 서비스하는 이 협력의 효과는 Sanan IC의 P15EP1 0.15µm 6”GaAs E / D pHEMT 공정 기술을 사용하여 28GHz 스펙트럼을위한 단일칩 표면 실장 패키지 4 채널 5G 밀리미터파 전력 증폭기 (PA)의 Plextek RFI가 최근에 설계 한 것으로 입증되었다. Plextek RFI는 최근 영국 베드포드셔에서 열린 ARMMS (Automated RF and Microwave Measurement Society) 컨퍼런스에서 레퍼런스 디자인을 전시하고 발표한 있다.
레이먼드 카이(Raymond Cai) Sanan IC CEO는 “5G 인프라 시장이 6GHz 이하에서 밀리미터파 스펙트럼으로 확대됨에 따라 관련 통신 장비에 대한 RF 프론트 엔드 설계 활동이 자연스럽게 증가하고 있다”며 “Plextek RFI를 공인 설계하는 또 하나의 서비스 파트너로 하여 전 세계 고객이 RF 엔지니어링 전문 지식으로 GaAs IC 설계 및 개발 리소스를 보강할 수 있도록 지원한다. 우리는 새로 출시된 P15EP1 E / D pHEMT GaAs 공정이 고성능 밀리미터파 응용 분야, 특히 5G 공간에서 널리 채택될 것으로 기대한다”고 밝혔다.
리엄 데블린(Liam Devlin) Plextek RFI CEO는 “5G 인프라의 롤아웃은 고성능 GaAs IC 설계를 요구하는 다양한 밀리미터파 RF 프런트엔드 아키텍처 및 토폴로지에 대한 수요를 발생시켰다”며 “Sanan IC의 GaAs 기술로서, 소형 다중 채널 전력 증폭기 레퍼런스 디자인에서 알 수 있듯이 고객에게 혁신적인 솔루션 및 설계 옵션을 제공하여 이러한 요구 사항을 해결하게 된 것을 기쁘게 생각한다. 우리는 다른 Sanan IC의 GaAs 프로세스를 활용하고 고성능, 고집적 및 고품질 RF 설계를 위한 미래의 로드맵을 활용함으로써 이러한 성공을 거둘 것으로 기대한다”고 말했다.
이 회사의 P15EP1 프로세스는 고성능 6 인치 GaAs pHEMT 기술로, Ft 85GHz, Fmax 155GHz의 E 모드 0.15µm 게이트 길이 트랜지스터와 매우 잘 통합되어 있다. 이 프로세스는 밀리미터파 PA 및 LNA 설계에 이상적이며 탁월한 이득, 저잡음 지수 및 넓은 대역폭을 제공하며 단일 다이 로직 구현을 위해 0.5µm E 모드/D 모드 기기와 결합될 수 있다.
이 기술의 플랫폼은 최대 3 개의 금속 인터커넥트 층을 제공하며, 12 개의 마스크 층과 75μm의 후면 랩핑 두께를 제공한다. P15EP1 프로세스는 P 모드 GaAs 기술의 일부로, D 모드 트랜지스터, 스위치 및 리미터용 PIN 다이오드와 같은 다른 옵션을 제공할 수 있으며 내년 후반에 더 높은 주파수 지원을 위해 더 낮은 프로세스 노드로 확장될 예정이다.
Hordon Kim, International Editor, hordon@powerelectronics.co.kr
