인테그라의 100V GaN을 활용하면 설계 시 시스템 출력 준위와 기능성을 급격하게 끌어올리는 한편 전력 합성 회로를 줄여 일반 50V/65V GaN 기술에 비해 시스템 아키텍처를 간소화할 수 있다.
수자 람나스(Suja Ramnath) 인테그라 사장 겸 최고경영자는 “인테그라의 100V RF 기술은 고전력 시장의 일대 진전을 뜻한다”며 “오늘날 시스템 성능을 제한하는 여러 장벽을 제거해 이전에는 불가능했던 새로운 아키텍처 개발로 이어질 것”이라며 “고객들이 인테그라의 혁신적 기술을 활용해 새로운 세대의 고성능 멀티 킬로와트(kW) RF 전력 솔루션을 선보이고 설계 주기를 단축하며 제품 원가를 줄인다는 생각을 하면 벌써부터 흥분된다”고 덧붙였다.
인테그라의 항공우주·방위 레이더 시스템 아키텍처·기술부 총괄인 마헤시 쿠마르(Mahesh Kumar) 박사는 “인테그라의 100V RF GaN 기술은 고전력 RF 시스템의 가능성을 완전히 재정립할 것”이라고 말했다. 인테그라의 100V RF GaN 기술은 단일 패키지로 50V GaN 트랜지스터에 비해 약 2배 높은 전력을 제공해 상당수의 결합기 및 관련 전자 회로를 줄인다. 따라서 시스템 볼륨과 무게, 비용을 줄이는 한편 시스템 효율성을 높일 수 있다.
IGN1011S3600은 항공전자 애플리케이션 전용으로 특별히 설계한 인테그라의 첫 100V RF GaN 제품이다. 19dB 상승 및 70%의 효율로 업계를 선도하는 출력 3.6kW를 자랑한다.
인테그라의 100V RF GaN을 기반으로 한 IGN1011S3600은 크기, 무게, 전력, 비용(SWAP-C) 개선이 필요한 프로그램 용으로 주목하지 않을 수 없는 강력한 솔루션이다. 일부 고객에 한해 IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC의 샘플링이 가능하다.
