고신뢰성, 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼의 GaN 기술이 휴렛 팩커드 USB-C PD/PPS 전원 어댑터에 채택되었다.
트랜스폼은 이번 디자인 윈(design-win)을 통해 25와트에서 350와트까지 저전력 및 중간 전력 어댑터 부문에서 트랜스폼 GaN FET 기술의 기반을 굳혔다.
HP 전원 어댑터는 트랜스폼의 SuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG 650V GaN FET을 사용한다. 이 기술은 트랜스폼 GaN 장치와 동의어가 된 설계 용이성과 높은 신뢰성과 고성능을 제공한다.
또한 트랜스폼은 최근 FIT(작동 시간 내 고장 수) 비율이 0.05 미만으로 현장 신뢰성 데이터 1000억 시간 이상을 달성했다. 이런 통계에는 25와트에서 3.6킬로와트까지 업무에 중요한 애플리케이션을 비롯한 광범위한 전력 수준을 포함된다.
이전에는 더 큰 다이(175mOhm) e-모드 GaN 장치와 비교할 때 트랜스폼의 더 작은 다이(240mOhm) SuperGaN FET가 150°C에서 더 낮은 온 저항 상승(23%)을 보였고, 플랫폼의 내재적인 성능 이점으로 인해 50% 및 100%(전체) 전력에서 더 높은 성능을 보인 것으로 확인됐다.
필드 애플리케이션 및 기술 세일즈 부사장인 투르샤르 다야구드(Tushar Dhayagude)는 자사의 GaN FET이 통합된 기성품 드라이버가 포함된 컨트롤러에 기술적인 구애를 받지 않아 설계가 용이하고 구동 가능성이 높기 때문에 저전력 및 고전력 세그먼트 모두에서 다양한 시장에 계속 채택되고 있다고 강조했다.