넥스페리아가 지난해 말에 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 소자를 출시해 GaN(갈륨 비소) FET 시장에 진출한 것으로 알려졌다.
넥스페리아가 처음으로 선보인 신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다. 이 제품은 xEV,
Vishay Intertechnology expanded its offering of surface-mount TMBS® Trench MOS Barrier Schottky rectifiers with 16 new 2 A and 3 A devices in the eSMP® series low profile SMP (DO-220AA) package.
The Vishay General Semiconductor rectifiers feature a wide range of reverse
