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도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation, http://goo.gl/UDmjza) 산하 반도체/스토리지 제품 회사(Semiconductor & Storage Products Company)는 1채널 고압측 N-채널 파워 MOSFET 게이트 드라이버 제품인 ‘TPD7104F’를 출시했다고 10월 28일 발표했다. 신제품은 차지 펌프를 위한 일체형 회로로 도시바의 기존 제품 보다 낮은 VDD(opr)=5~18V 전압에서 작동할 수 있다. 출하는 오늘부터 시작된다.

A. 신제품 주요 사양

1. BiCD 0.13μm 프로세스
2. 공급전압: VDD(opr)=5~18V
3. 내장형 과전류 보호 기능
4. 내장형 과전류 진단 기능
5. 출력 전압
VOUT=VDD+8V(Min)@VDD=5V, IOUT=-100μA, Tj=-40~125°C
VOUT=VDD+10V(Min)@VDD=8 to 18V, IOUT=-100μA, Tj=-40~125°C
6. 소형 패키지
PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

B. 응용 제품

12V 배터리에 사용된 고압측 N-채널 MOSFET 구동에 필요한 자동차용 응용제품. 반도체 릴레이, 아이들 스톱 시스템 및 EPS(electric power steering, 전동 파워 스티어링)용 반도체 부하 스위치가 포함된다.

파워일렉트로닉스 매거진 박은주 기자, news@powerelectronics.co.kr




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