Tag: MOSFET

온세미, 엘리트SiC M3e MOSFET 출시

by PEMK 매거진 -
Onsemi, EliteSiC M3e MOSFET

최신 EliteSiC M3e MOSFET, 전력 소모가 많은 애플리케이션에서 에너지 효율 크게 향상 온세미, 2030년까지 다양한 차세대 SiC 도입 계획 발표 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 발표했다. 이와 함께

인피니언, AI 서버 전원공급장치의 전력 밀도와 효율 향상 위한 ‘CoolSiC™ MOSFET 400V’ 출시

by PEMK 매거진 -

인공지능(AI) 프로세서의 전력 요구량이 증가함에 따라 서버 전원공급장치(PSU)는 서버 랙의 지정된 규격을 넘지 않으면서 점점 더 많은 전력을 제공해야 한다. 이는 2020년대 말까지 칩당 2kW 이상을 소비할 수 있는 고급 GPU의 에너지 수요 급증에 따른 것이다. 이러한 필요와 더불어, 갈수록 더 까다로운

넥스페리아, 산업용 SiC MOSFET 시장으로 진출

by PEMK 매거진 -

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을

Infineon’s CoolSiC™ XHP™ 2 high-power modules enable energy-efficient electrified trains to promote decarbonization

by PEMK 매거진 -
Infineon's CoolSiC™ XHP™ 2 high-power module

Infineon's CoolSiC™ XHP™ 2 high-power module To meet global climate targets, transportation must shift to more environmentally friendly vehicles such as energy-efficient electrified trains. Trains, however, have demanding operating profiles with frequent acceleration and braking, while being expected to operate reliably over a

ZF, ST마이크로일렉트로닉스와 SiC 디바이스 다년 공급 계약

by PEMK 매거진 -
Next Generation Mobility of ZF

2025년부터 시리즈 생산에 들어가는 ZF의 차세대 모듈식 인버터 플랫폼에 ST의 실리콘 카바이드 디바이스 통합 예정 ST, ZF에 실리콘 카바이드 디바이스 (SiC) 공급키로 모빌리티 기술 그룹인 ZF가 다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)의 실리콘 카바이드(SiC; Silicon Carbide) 디바이스를 2025년부터 구매한다.

[New] 설계 단계에서 SiC 파워 솔루션 테스트가 가능한 시뮬레이터

by Hordon Kim -

e-모빌리티, 지속가능성, 산업 부문과 규모가 큰 시장에서 SiC 파워 솔루션으로의 전환과 같이 오늘날 우리 산업에 이른바 ‘전기화 시대(Electrification)’가 도래하면서, 빠른 스위칭 능력과 낮은 전력 손실, 더 높은 온도에서의 성능 구현을 가능케하는 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 성장 또한 가속화되고 있다.  이에 따라 마이크로칩테크놀로지가 파워 설계 엔지니어가 쉽고 빠르게 SiC 파워 솔루션으로 전환할 수 있도록  해주는  MPLAB® SiC 파워 시뮬레이터를

Want to replace silicon MOSFETs with a GaN solution?

by Hordon Kim -

EPC's GaN Power Bench™ gives you instant access to cross reference and replace many competitors’ silicon-based power management devices with eGaN® FETs. Easily compare parametric differences without opening a single datasheet to identify the eGaN FET to increase your design efficiency. Enter a competitor's

[New] 자동차용 40V N-채널 전력 MOSFET

by Hordon Kim -

Toshiba Electronic Devices & Storage 가 자동차용 40V N-채널 전력 MOSFET인 ‘XPQR3004PB’ 및 ‘XPQ1R004PB’를 출시했다. 새로운 L-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads) 패키지를 사용하며 높은 드레인 정격 전류와 낮은 온 저항이 특징이다. 최근 몇 년 동안 EV로의 전환으로 인해 자동차 장비의 전력 소비 증가에