인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN™ 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER™ IC 제품을 출시한다고 밝혔다. 더 높은 전력 밀도를 제공하는 이들 제품은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영 비용을 낮춘다.
새롭게 출시된 CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수 있는 “normally-off” 컨셉으로 설계되어, 빠른 턴온 및 턴오프에 최적화되었다. SMPS의 높은 효율과 전력 밀도를 가능하게 하며, 현재 출시된 모든 600V 디바이스 제품 중 최고의 FOM(figures of merit)을 제공한다. CoolGaN 스위치는 게이트 전하가 매우 낮고 역 전도(reverse conduction) 시에 동적 성능이 뛰어나다. 따라서 훨씬 더 높은 주파수 동작이 가능하고, 그럼으로써 수동 소자의 크기를 줄여 전력 밀도를 향상시킨다.
CoolGaN 600V e-mode HEMT는 최상의 PFC 효율(2.5kW PFC로 99.3퍼센트 이상)과 동일한 효율로 훨씬 높은 밀도(3.6kW LLC 98퍼센트 이상 효율에 160W/in3 이상)를 달성한다. 선형 출력 커패시턴스는 공진 토폴로지에서 데드 타임을 8~10배 줄일 수 있다.
CoolGaN은 업계에서 가장 우수한 신뢰성을 자랑한다. 품질 관리 공정에서 디바이스 자체뿐만 아니라 애플리케이션 환경에서의 동작을 철저하게 테스트하기 때문이다. 따라서 CoolGaN 스위치는 엄격한 품질 요건을 능가한다.
CoolGaN 600V 스위치는 SMD 패키지로 70mΩ 과 190mΩ 제품을 제공하며, 열 성능이 뛰어나고 기생성분이 낮다. 다양한 SMD 패키지로 제공되므로 엔터프라이즈 및 하이퍼스케일 데이터 센터 서버, 텔레콤 정류기, 어댑터, 충전기, SMPS, 무선 충전 등의 애플리케이션에서 고주파수 동작을 지원한다.
인피니언의 새로운 EiceDRIVER IC 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H는 CoolGaN e-mode HEMT와 완벽한 조합이다. 강건하고 매우 효율적인 CoolGaN 스위치 동작을 보장하도록 개발되어, 고객사의 개발 업무를 최소화하고 시장 출시 기간을 줄여준다.
전력 MOSFET 용 게이트 드라이버 IC와 달리, 인피니언의 CoolGaN 전용 게이트 드라이버 IC는 음의 출력 전압을 제공하여 GaN 스위치를 재빨리 턴오프한다. 스위치를 턴오프하는 시간 간격에 GaN EiceDRIVER IC가 게이트 전압을 0으로 확실하게 유지한다. 따라서 과도한 턴온(첫번째 펄스에 대해서도)으로부터 GaN 스위치를 보호하며, 이는 강건한 SMPS 동작에 필수적이다.
GaN 게이트 드라이버 IC는 듀티 사이클이나 스위칭 속도에 상관 없이 일정한 GaN HEMT 스위칭 슬루율(slew rate)을 유지한다. 그러므로 견고한 동작과 높은 전력 효율을 달성하며 개발 시간을 단축할 수 있다. 갈바닉 절연 기능을 통합하여 하드 및 소프트 스위칭 애플리케이션의 강건성을 높인다. 또한 SMPS의 일차 및 이차 측과 전원 스테이지와 로직 스테이지 사이에 보호 기능을 제공한다.
인피니언측은 이번 신제품 출시에 대해 “CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC 출시로 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하는 업계 유일한 회사”라고 강조했다.
