Tag: GaN

트랜스폼과 웰트렌드 세미컨덕터, 새로운 통합 GaN 시스템-인 패키지 출시

by Hordon Kim -
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GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 트랜스폼과 어댑터 USB 전력 공급(PD) 컨트롤러 집적회로(IC) 분야의 글로벌 리더인 웰트렌드 세미컨덕터가 두 가지 새로운 GaN 시스템 인 패키지(System-in-Package, SiP)를 출시했다. 작년에 발표된 웰트렌드의 플래스쉽 GaN SiP와 결합하면 새로운 이 제품은 트랜스폼의 SuperGaN® 플랫폼에 기반한 최초의 SiP 제품군을 구축하게

[New] 다양한 스위칭 기능의 4리드 SuperGaN 소자

by Hordon Kim -

GaN 전력 반도체 전문회사인 트랜스폼이 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)의 두 종류의 새로운 SuperGaN® 소자를 출시했다. 이번에 출시된 TP65H035G4YS 및 TP65H050G4YS FET는 각각 35mΩ 및 50mΩ의 온 저항을 제공하며 켈빈 소스 단자와 함께 사용해 훨씬 더 적은 에너지 손실로 다양한 스위칭 기능을 고객에게 제공한다. 트랜스폼의

[New] 2륜 및 3륜 전기 자동차용 배터리 충전기 레퍼런스 디자인

by Hordon Kim -

 GaN 전력 반도체 전문업체인 트랜스폼이 전기 자동차(“EV”) 충전 애플리케이션을 위한 두 가지 새로운 레퍼런스 디자인을 출시했다. 300W 및 600W 정전류/정전압(Constant Current/Constant Voltage)(CC/CV) 배터리 충전기는 이 회사의 70 및 150밀리옴 SuperGaN® 소자를 사용해 경쟁력 있는 비용으로 높은 전력 밀도로 고효율 AC-DC 전원 전환을

화합물 전력반도체 고도화 개발, 5년간 1,385억 투입한다

by PEMK 매거진 -

산업통상자원부에 따르면, 내년 부터 향후 5년간 '화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업'에 총 1385억원이 투입된다. 이는 11월 23일 개최된 '제6회 파워반도체-파워코리아 포럼'에서 발표됐다. 산업부(장관 방문규)와 한국반도체산업협회(회장 곽노정)는 11월 23일 서울 엘타워 그레이스홀에서 전력반도체 업계 임직원 등 200여명이 참석한 가운데 '제6회 파워반도체-파워코리아 포럼'을 개최했다. 전력(power) 반도체란

CGD의 ICeGaN HEMT, TSMC의 유럽 연례행사에서 혁신 부문 ‘최고의 데모’로 선정

by PEMK 매거진 -

친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리스, 청정 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge GaN Devices)는 자사의 ICeGaN™ GaN HEMT SoC(System-on-Chip) 제품이 TSMC의 2023 유럽 기술 심포지엄 혁신 부문에서 ‘최고의 데모(Best Demo)’ 상을 수상했다고 밝혔다. TSMC의 GaN 공정 기술을

마우저와 비쉐이, 차세대 인더스트리 4.0 지원 기술을 조명한 새로운 전자책 발간

by PEMK 매거진 -
마우저와 비쉐이, 차세대 인더스트리 4.0 지원 기술을 조명한 새로운 전자책 발간

최신 전자부품 및 산업 자동화 제품을 공급하는 글로벌 공인 유통기업인 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)는 비쉐이(Vishay)와 협력하여 차세대 인더스트리 4.0 솔루션을 지원하는 기술 및 부품에 대한 상세 정보를 담은 새로운 전자책을 발간했다. 마우저와 비쉐이, 차세대 인더스트리 4.0 지원 기술을 조명한 새로운 전자책 발간 ‘차세대 인더스트리 4.0(The

[Application Note] 고속 GaN 트랜지스터를정확히 측정하려면

by PEMK 매거진 -
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매우 빠른 스위칭 속도로 동작하는 GaN 트랜지스터를 측정하기 위해서는탁월한 측정 기술뿐만 아니라 고속 파형의 중요한 세부 사항을 포착할 수 있는뛰어난 측정 기법이 필요하다. 이 애플리케이션 노트는 고성능 GaN 트랜지스터를 정확하게평가할 수 있는 측정 기법과 사용자의 요구사항에 부합하는 측정 장비 활용 방안에 중점을두고

[New] 넥스페리아의 저전압 및 고전압 응용 제품용 e-모드 GaN FET

by 오윤경 기자 -

Nexperia의 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드(강화 모드) 구성의 전력용 GaN FET 시리즈는 7개의 소자로 구성되어있다. e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자들에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 유일한 단일 제조업체가 된 넥스페리아의 새로운 포트폴리오에는 DFN