Tag: GaN

EV 견인 인버터용 VisIC D³GaN 기술

by 이철민 기자 -

전기차 견인 인버터용 D³GaN™ 전력 장치 기술은 하이브리드 및 배터리 전기차 플랫폼에 D-모드 GaN을 통합하는 VisIC의 새로운 전략 솔루션이다. 고출력 수준에서의 신뢰성, 확장성, 효율성이라는 업계의 주요 과제를 해결하는 이 기술은 자동차급 견고성에 중점을 두고 있다. D³GaN™은 기존 E-모드 GaN과 실리콘 기반 솔루션의 내재적

콜드 크랭킹 극복을 위한 5가지 혁신 기술

by 이철민 기자 -
저온 환경에서 자동차 시동 시 발생하는 전압 급강하 현상인 콜드 크랭킹 문제를 해결하기 위한 다섯 가지 핵심 기술

배터리부터 반도체까지, 자동차의 심장을 깨우는 전력전자의 첨단 무기들 자동차 전력 설계자들에게 겨울은 가혹한 계절이다. 기온이 떨어지면 배터리 내부 저항은 치솟고, 엔진 오일은 끈적해져 평소보다 훨씬 큰 힘이 필요하다. 이때 발생하는 전압 급강하 현상인 콜드 크랭킹은 차량 내 정밀 전자부품을 위협하는 가장 큰 요소다.

[PE 테크] AI에 국적을 입히다… ‘소버린 AI’ 시대, 전력 반도체가 승부처인 이유

by PEMK 매거진 -
지정학적 리스크와 데이터 거주성 요건 강화로 인해 2027년까지 소버린 AI 전환율이 35%로 급증할 것으로 보이며, 이에 따라 국가별 데이터센터 인프라 및 로컬 LLM 오케스트레이션 전략이 핵심 과제로 부상하고 있다.

가트너 "2027년까지 국가 35% AI 독립", GDP 1% 쏟는 '인프라 전쟁' 발발 전기 먹는 하마 AI 데이터센터, SiC·GaN 반도체로 '에너지 다이어트' 사활 지정학적 리스크와 데이터 거주성 요건 강화로 인해 2027년까지 소버린 AI 전환율이 35%로 급증할 것으로 보이며, 이에 따라 국가별 데이터센터 인프라 및

ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신

by PEMK 매거진 -
ST, 220V 지원 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신

20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력

[기고] 통합 TOLL 패키지형 GaN 소자를 이용한 전원 공급 장치 설계 혁신 방안

by PEMK 매거진 -
integrated TOLL-packaged GaN devices

글_ 스리잔 아쇼크(Srijan Ashok), 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments) 최신 전원 공급 장치 설계에는 고효율과 높은 전력 밀도가 필수이다. 그래서 설계자는 다양한 전력 변환 토폴로지에서 GaN(질화 갈륨) 장치를 사용하고 있다. GaN을 이용하면 고주파 스위칭이 가능하기 때문에 패시브 크기를 줄여주고, 나아가 밀도를 높여 준다. 또한 GaN은 실리콘이나 SiC(실리콘

뛰어난 효율과 전력 밀도를 제공하는 차세대 GaN 전력 디스크리트

by 오윤경 기자 -

CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5 (image. 인피니언) 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 고전압 디스크리트 제품군인 CoolGaN™ 트랜지스터 650V G5를 출시했다. 최신 CoolGaN 세대는 CoolGaN 트랜지스터 600V G1의 드롭인 교체용으로 설계되어 기존 플랫폼을 빠르게 재설계할 수 있도록 지원한다. 새로운 디바이스는 향상된 FoM(figures of merit)을

피라미드형 GaN 마이크로 LED를 아시나요?

by Hordon Kim -

스웨덴의 Polar Light Technologies가 실리콘 칩의 인듐 패드에 직접 접합된 새로운 개념의 질화갈륨(GaN) 피라미드형 마이크로 LED 개발에 성공했다. LED가 아래에서 위로 제작되는 이 새로운 방법은 기존의 탑다운 방식에서 볼 수 있는 표면 손상을 피하고 훨씬 더 나은 광학 성능을 제공하는 것으로 알려졌다. 피라미드

[New] 최고 전력 밀도의 DCDC 컨버터 

by 오승모 기자 -
CoolGaN 트랜지스터

비테스코 테크놀로지가 인피니언의 CoolGaN™ 트랜지스터로 최고 전력 밀도의 DCDC 컨버터를 개발했다. 컨버터는 모든 전기자동차와 하이브리드 자동차에서 고전압 배터리를 저전압 보조 회로에 연결하는 데 필수적이다. 저전압 보조 회로에는 12V 단으로 파워 헤드라이트, 실내조명, 와이퍼와 창문 모터, 팬 등이 있고, 48V 단으로 펌프, 스티어링 드라이브,

QROMIS is recognized with Global Enabling Technology Leadership Award for Addressing Cost and Reliability Challenges in the GaN Semiconductors Market

by PEMK 매거진 -
OST enables ALL GaN applications

Frost & Sullivan recently researched the GaN semiconductors industry and, based on its findings, recognizes QROMIS with the 2024 Global Enabling Technology Leadership Award. QROMIS is a world-class advanced semiconductor technologies provider that offers high-performance materials solutions to help global businesses enhance their digital transformation,