SK하이닉스 자회사 SK키파운드리가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 비즈니스코리아의 최근 보고서에 따르면 파운드리 공장은 2024년 하반기부터 테슬라용 전력반도체 생산을 시작할 예정이다. 보고서에 따르면 SK 키파운드리는 6월 초에 효율성과 내구성 면에서 전통적인 실리콘 기반 반도체를 능가하는 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 주요 소자 특성을
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TI와 델타 일렉트로닉스, 전기차 온보드 충전 위한 기술 협력 발표
트랜스폼과 웰트렌드 세미컨덕터, 새로운 통합 GaN 시스템-인 패키지 출시
[New] 다양한 스위칭 기능의 4리드 SuperGaN 소자
Transphorm unveils two battery charger reference designs for two- and three-wheeled electric vehicles
Transphorm announced availability of two new reference designs for electric vehicle (“EV”) charging applications. The 300 W and 600 W Constant Current/Constant Voltage (CC/CV) battery chargers use the company’s 70 and 150 milliohm SuperGaN® devices to deliver highly efficient AC-to-DC power conversion
[New] 2륜 및 3륜 전기 자동차용 배터리 충전기 레퍼런스 디자인
화합물 전력반도체 고도화 개발, 5년간 1,385억 투입한다
CGD의 ICeGaN HEMT, TSMC의 유럽 연례행사에서 혁신 부문 ‘최고의 데모’로 선정
마우저와 비쉐이, 차세대 인더스트리 4.0 지원 기술을 조명한 새로운 전자책 발간
Transphorm unveils six SuperGaN FETs pin-to-pin compatible with e-mode devices
Transphorm announced the availability of six (6) surface mount devices (SMDs) available in Industry Standard PQFN 5x6 and 8x8 packages. These SMDs deliver the reliability and performance advantages offered by Transphorm’s patented SuperGaN® d-mode two-switch normally-off platform in the package configurations typically
