매우 빠른 스위칭 속도로 동작하는 GaN 트랜지스터를 측정하기 위해서는탁월한 측정 기술뿐만 아니라 고속 파형의 중요한 세부 사항을 포착할 수 있는뛰어난 측정 기법이 필요하다. 이 애플리케이션 노트는 고성능 GaN 트랜지스터를 정확하게평가할 수 있는 측정 기법과 사용자의 요구사항에 부합하는 측정 장비 활용 방안에 중점을두고
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[New] 넥스페리아의 저전압 및 고전압 응용 제품용 e-모드 GaN FET
[백서] 마이크로그리드의 효율적인 신재생 에너지 관리
EPC’s GaN transistors bring newest radiation-hardened technology to space applications
Projected GaN device lifetime in real world applications
EPC announced the publication of its Phase-15 Reliability Report, documenting continued work using test-to-fail methodology and adding specific reliability metrics and predictions for real world applications including solar optimizers, lidar sensors, and DC-DC converters. This report presents the results of testing eGaN
Want to replace silicon MOSFETs with a GaN solution?
EPC's GaN Power Bench™ gives you instant access to cross reference and replace many competitors’ silicon-based power management devices with eGaN® FETs. Easily compare parametric differences without opening a single datasheet to identify the eGaN FET to increase your design efficiency. Enter a competitor's
