진보된 GaN 기술로 전력 및 효율 크게 향상
에너지 효율적인 전력 변환용 고전압 집적 회로 분야의 선도업체인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)가 InnoSwitch™3 오프라인 CV/CC 플라이백 스위처 IC 제품군에 속하는 새로운 제품을 발표했다. 새로운 IC 제품군은 히트싱크를 필요로 하지 않으며, 풀부하 범위에서 최대 94% 효율을 제공하고 어댑터 구현에서 최대 100W를 제공한다. 이러한 획기적인 성능 향상은 자체 개발된 고전압 GaN 스위치 기술을 사용하여 달성하였다.
유사 공진 InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP 및 InnoSwitch3-Pro IC는 단일 표면 실장형 패키지에서 1차, 2차, 피드백 회로를 결합한다. 새로 출시된 제품군에서 GaN 스위치는 IC의 1차측에 있는 기존의 실리콘 고전압 트랜지스터를 대체하여 전류가 흐를 때 전도 손실을 줄이고 작동 중 스위칭 손실을 크게 줄인다. 따라서 공간 절약형 InSOP-24D 패키지에서 에너지 낭비가 거의 없으므로 효율성과 전력 공급이 향상된다.
모바일 디바이스, 셋톱박스, 디스플레이, 가전제품, 네트워킹 및 게이밍 제품 등을 위한 USB-PD 및 고전류 충전기/어댑터와 같은 고효율 플라이백 디자인을 겨냥한 새로운 IC는 외부 부품과 상관없는 정확한 CV/CC/CP를 제공하며 고속 충전 프로토콜 IC와 쉽게 상호작용 할 수 있다. InnoSwitch3-CP 및 EP 변형 제품은 하드웨어 구성 가능하며, InnoSwitch3-Pro는 CV 및 CC 설정 포인트, 예외 처리 및 안전 모드 옵션의 소프트웨어 제어를 위한 정교한 디지털 인터페이스를 통합한다.
발루 발라크리쉬난(Balu Balakrishnan) 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 사장 겸 CEO는 “GaN은 실리콘보다 효율과 크기에서 큰 이점을 제공하는 핵심 기술이다. 많은 파워 애플리케이션에서 실리콘 트랜지스터에서 GaN으로의 신속한 전환이 예상된다”고 설명했다. 그는 또한 “InnoSwitch3는 18개월 전 실리콘 변형 제품을 출시한 이후 오프라인 스위처 IC 시장에서 확실한 기술 선두 업체 자리를 지켜왔으며, 새로운 GaN 기반 IC가 플라이백 제품의 효율 및 전력 성능을 향상시켜 더욱 오래 선두 자리를 지키게 될 것”이라고 말했다.
Hordon Kim, hordon@icnweb.co.kr
