Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈(GaN Systems)의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 열악한 환경에서도 우수한 내구성 발휘) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다.
650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 자랑하는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성을 요구하는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 이상적인 제품이다.
TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘FOM 아일랜드 기술(Island Technology®)’ 다이를 적용했으며 저인덕턴스 GaNPX® 패키지로 구성했다. 최대 100MHz의 고주파 스위칭, 빠르고 제어 가능한 폴/라이즈 타임, 역전류 기능 등이 강점이다.
몬트 테일러(Mont Taylor) Teledyne e2v HiRel 사업개발부 부사장은 “고도의 신뢰성을 요구하는 애플리케이션용으로 적합한 650V 고전력 GaN HEMT 제품을 새로 선보이게 돼 기쁘다”며 “더 작은 패키지로 구성한 신형 HEMT는 전력 밀도가 높은 프로젝트를 설계하는 고객들에게 큰 도움이 될 것”이라고 말했다.
TDG650E15B와 TDG650E30B는 높은 절연파괴 전압·전류와 고주파 스위칭을 감안해 인핸스먼트(enhancement) 방식으로 구성한 GaN-on-Silicon 전력 트랜지스터로서 접합부-케이스 열저항이 매우 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합하다.
전력 변환에 일대 혁신을 일으킨 GaN HEMT는 현재 방사성 내성을 강화한 플라스틱 캡슐 패키지로 이용 가능한다. 엄격한 신뢰성 및 전기 시험을 통과한 만큼 핵심 임무의 성공을 보장한다. 새로운 GaN HEMT는 중요한 항공우주 및 방위 전력 애플리케이션이 원하는 효율성과 크기, 전력 밀도를 고객에게 선사한다.
Teledyne e2v HiRel은 모든 제품군을 대상으로 가장 엄격한 검증·검사를 수행해 애플리케이션의 신뢰성 눈높이에 부응한다. 전력 기기의 경우 유황 검사, 고도 시뮬레이션, 다이나믹 번인(burn-in) 및 최대 175°C의 스텝 스트레스(step stress) 시험, 9V 게이트 전압 및 전온도 시험 등을 시행한다. Teledyne e2v HiRel의 새로운 GaN HEMT 2종은 여타 SiC 기기와 달리 병렬 이행이 용이해 부하 전류를 높이거나 유효 온저항(RDSon)을 낮출 수 있다.
TDG650E15B와 TDG650E30B는 현재 주문 및 즉시 구입이 가능하다.
Hordon Kim
International Editor, hordon@powerelectronics.co.kr
