핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 최근 10개의 새로운 25V 및 30V의 완전 최적화 소자들을 출시해 ‘핫스왑 및 소프트 스타트용 ASFET’ 포트폴리오를 확장했다.
이 소자들은 업계 최고의 향상된 안전 작동 영역(Safe Operating Area: SOA) 성능과 매우 낮은 RDS(on) 를 결합한 것으로 데이터 센터 서버 및 통신 장비를 포함한 12V 핫스왑 애플리케이션에 이상적이다.
넥스페리아는 수 년 동안 입증된 MOSFET 전문 지식을 광범위한 애플리케이션에 접목시켜 특정 애플리케이션의 요구 사항을 충족하도록 중요한 MOSFET 성능 특성이 향상된 소자인 ASFET을 개발해 이 시장을 이끌어오고 있다.
ASFET은 출시 이후 그동안 배터리 절연, DC 모터 제어, 이더넷에 의한 전력 공급 (PoE), 자동차 에어백 애플리케이션 등으로 최적화된 분야에서 성공을 거두었다.
돌입 전류는 핫스왑 응용 제품에서 신뢰성 문제를 일으킬 수 있다. 그러나 향상된 SOA MOSFET을 최초로 개발한 넥스페리아는 이러한 애플리케이션에 완전히 최적화된 ‘향상된 SOA기능을 가진 핫스왑 및 소프트 스타트 ASFE’ 포트폴리오 설계로 이러한 문제를 해결했다.
PSMNR67-30YLE ASFET 소자는 이전 기술보다 2.2배 더 강력한 SOA(12V @100mS)를 제공하면서도 RDS(on) (최대)값이 0.7mΩ에 불과하다. 이 소자는 Spirito 효과 (더 높은 전압의 SOA 곡선에서 발견되는 더 가파른 하향 기울기로 표시됨)를 제거했으면서도 최적화되지 않은 여타 소자들과 비교할 때 전체 전압 및 온도 범위에서 탁월한 성능을 유지한다.
넥스페리아는 125°C에서 이러한 새로운 소자를 완전히 특성화해 핫 SOA 데이터시트 곡선을 제공함으로써 설계를 열 분해할 필요가 없도록 설계자들을 지원한다.
이번에 출시된 8개의 새로운 소자들 (25V 3개 및 30V 5개)은 대부분의 핫스왑 및 소프트 스타트 애플리케이션에 적합하도록 0.7mΩ에서 2mΩ 범위의 RDS(on)를 갖춘 LFPAK56 및 LFPAK56E 로 패키징된다. 0.5mΩ의 더 낮은 RDS(on) 를 가진 두 개의 추가 25V 제품들이 수 개월 내에 추가로 출시될 예정이다.
제품 사양 및 데이터 시트 등 상세 정보는https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start/ 에 있다.
