EPC의 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN FET 는 1,000K Rad(Si) 이상의 총 방사선 선량(Total Dose Radiation) 등급과 최대 100%의 정격 항복 전압 VDS에서 83.7MeV/mg/cm2의 LET에 대한 SEE 내성을 갖추고 있다.
EPC7020은 소형 12mm2 풋프린트의 200V, 11mΩ, 170APulsed, 방사선 경화 GaN FET이다. EPC7003은 초소형 1.87mm2 풋프린트의 100V, 30mΩ, 42APulsed, 방사선 경화 GaN FET이다.
두 소자들은 다른 방사선 경화 제품군인 EPC7019, EPC7014, EPC7004, EPC7018, EPC7007과 함께 상업용 eGaN® FET 및 IC 제품군과 동일한 칩 스케일 패키지로 제공된다. 패키지 버전은 EPC Space에서 확인할 수 있다.
eGaN FET 및 IC는 일반적으로 고신뢰성 및 우주 애플리케이션에 사용되는 방사선 경화 실리콘 소자보다 더 작고 전기적 동작 성능은 40배 더 뛰어나며 비용이 더 저렴하다. 이 GaN 소자들은 실리콘 솔루션보다 더 높은 총 방사선 레벨과 SEE LET 레벨을 지원한다.
이러한 디바이스의 뛰어난 성능과 빠른 구축의 이점을 활용할 수 있는 애플리케이션으로는 LEO 및 GEO 궤도용 위성과 항공전자공학 및 우주 애플리케이션을 위한 이온 추진기와 DC-DC 전력 컨버터, 모터 드라이브, 라이다, 및 딥 프로브 등이 포함된다.
EPC의 공동창업자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “방사선 경화 제품군은 40V에서 200V 및 4A에서 530A까지 지원하며, 행성간 과학 탐사 임무 등의 우주 애플리케이션과 고고도 비행 및 기타 고신뢰성 군사 애플리케이션과 같은 혹독한 환경의 다양한 애플리케이션을 지원할 수 있다.”고 밝혔다.
EPC7020 및 EPC7003은 현재 엔지니어링 샘플로 제공된다.
