핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)인 30A NGW30T60M3DF를 출시했다.
넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 되었다고 전했다.
이를 통해 5kHz – 20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 더 높은 전력 밀도가 가능해졌다.
IGBT의 기술은 그동안 많이 발전했지만 이 시장은 태양 전지판 및 전기 자동차(EV) 충전기에 점점 더 많이 채택됨에 따라 더욱 성장할 것으로 예상된다.
넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱(FS) 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다.
제품 설계자들은 중속(M3) 및 고속(H3) 계열 IGBT 제품들을 선택할 수 있다. 이 IGBT들은 매우 긴밀한 파라미터 분포로 설계되어 여러 기기들을 병렬로 안전하게 연결해준다.
이 제품들은 또한 경쟁 소자들보다 열 저항이 낮기 때문에 더 높은 출력 전력을 제공한다. 이 IGBT들은 소프트 고속 역회복 다이오드로 완전히 분류, 평가되는데 이는 정류기 및 양방향 회로 애플리케이션에 적합하거나 과전류 조건으로부터의 보호에 적합하다는 것을 의미한다.
넥스페리아의 IGBT 사업부 총괄 책임자인 케 쟝(Ke Jiang) 박사는 “당사는 이 IGBT제품들 출시를 계기로 제품 설계자들에게 더욱 광범위한 전력 애플리케이션용 전력 스위칭 소자들을 제공하게 되었다”며 “이번에 출시한 IGBT들은 넥스페리아의 기존 CMOS 및 와이드 밴드갭 스위칭 소자 제품군을 이상적으로 보완하므로 전력 전자 설계자들에게 원스톱 소싱을 가능하게 해줄 것”이라고 언급했다.
이 IGBT는 표준, 무연, TO247-3L 패키지로 제공되며 실외 애플리케이션에 대한 HV-H3TRB 인증을 받았다. 넥스페리아는 이 제품들의 출시에 이어 향후 1200V IGBT제품들도 라인업에 추가할 예정이다.
