인피니언, 1200V 62mm IGBT7 포트폴리오 확장

1200V TRENCHSTOP™ IGBT7

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 칩을 채택한 62mm 하프브리지 및 공통 이미터 모듈 포트폴리오를 출시한다. 검증된 62mm 하우징으로 제공되는 다양한 구성의 제품군은 800A 최대 전류 정격까지 확장되었다. 이로써 더 높은 전력 밀도와 전기적 성능으로, 고전류 전력 솔루션을 설계하는 디자이너들에게 큰

넥스페리아 600V IGBT, 전력 응용 제품에서 동급 최고 효율성 제공     

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핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)인 30A NGW30T60M3DF를 출시했다. 넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 되었다고 전했다. 이를 통해 5kHz - 20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 더 높은 전력 밀도가 가능해졌다. IGBT의 기술은 그동안 많이 발전했지만 이 시장은 태양 전지판 및 전기 자동차(EV) 충전기에 점점 더 많이 채택됨에 따라 더욱 성장할 것으로 예상된다. 넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱(FS) 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다.  제품 설계자들은 중속(M3) 및 고속(H3) 계열 IGBT 제품들을 선택할 수 있다. 이 IGBT들은 매우 긴밀한 파라미터 분포로 설계되어 여러 기기들을 병렬로 안전하게 연결해준다. 이 제품들은 또한 경쟁 소자들보다 열 저항이 낮기 때문에 더 높은 출력 전력을 제공한다. 이 IGBT들은 소프트 고속 역회복 다이오드로 완전히 분류, 평가되는데 이는 정류기 및 양방향 회로 애플리케이션에 적합하거나 과전류 조건으로부터의 보호에 적합하다는 것을 의미한다. 넥스페리아의 IGBT 사업부 총괄 책임자인 케 쟝(Ke Jiang) 박사는 “당사는 이 IGBT제품들 출시를 계기로 제품 설계자들에게 더욱 광범위한

마우저, 비쉐이 세미컨덕터의 AEC-Q101 인증 DFN 정류기 제품 공급

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마우저 일렉트로닉스는 비쉐이 세미컨덕터(Vishay Semiconductors)의 AEC-Q101 인증 DFN 정류기 제품을 공급한다. 이 DFN 패키지 부품은 엔지니어에게 상업, 산업 및 자동차 애플리케이션에서 전력선 극성 및 레일 간 보호를 위한 이상적인 솔루션을 제공한다. 마우저 일렉트로닉스에서 제공하는 비쉐이 세미컨덕터 AEC-Q101 인증 DFN 정류기는 표준 높이가 0.88mm이고

온세미, PCIM서 지속 가능한 전력 솔루션 선보여

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 5월 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 개최된 전력 전자 분야의 전시회 및 컨퍼런스인 PCIM에서 지속 가능한 전력 관련 최신 혁신 기술을 선보였다. 올해 PCIM의 주제는 전력 전자 분야의 우수성이었다. PCIM에서 온세미는 세 가지의 핵심 영역에 집중할 예정으로, 5개의 시연

TI, SiC 게이트 드라이버로 전기차 주행거리 극대화 지원

고전압 반도체 솔루션의 선두주자인 텍사스 인스트루먼트(TI)가 엔지니어들이 보다 효율적인 트랙션 인버터를 설계하고 전기차의 주행거리를 극대화할 수 있도록 고도로 통합되고 기능 안전 표준을 준수하는 절연 게이트 드라이버를 선보였다.  새로운UCC5880-Q1 강화 절연 게이트 드라이버는 전기차 파워트레인 엔지니어들이 시스템 설계의 복잡성과 비용은 절감하면서도 전력 밀도를 높이고 안전과 성능에 대한 목표를 달성할 수 있도록 다양한 기능을 제공한다. 전기차의 인기가 높아짐에 따라 트랙션 인버터 시스템 반도체의 혁신은 전기차 보급을 앞당기는 데 도움을 주고 있다. 차량 제조업체는 실시간 가변 게이트 드라이브 강도, SPI(직렬 주변기기 인터페이스), 첨단 SiC 모니터링 및 보호 그리고 기능 안전에 대한 통합 진단을 제공하는 UCC5880-Q1을 통해 더 안전하고, 효율적이며, 신뢰할 수 있는 SiC와 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터) 트랙션 인버터를 설계할 수 있다. 웬지아 리우 (Wenjia Liu) TI 고출력 드라이버 제품 라인 매니저는 "트랙션 인버터와 같은 고전압 애플리케이션 설계 엔지니어는 작은 공간에서 시스템의 효율성과 신뢰성을 최적화해야 하는 과제에 직면하게 된다"며, "이번에 출시되는 새로운 절연 게이트 드라이버를 사용하면 엔지니어들은 주행거리를 극대화하는 것은 물론 안전 기능을 통합함으로써 외부 부품과 설계의 복잡성을 줄일 수 있다. 이 제품은 UCC14141-Q1 절연 바이어스 공급 모듈과 같은 다른 고전압 전력 변환 제품과 쉽게 조합하여 전력 밀도를 높이고 엔지니어들이 트랙션 인버터의 성능을 최고 수준으로 끌어올릴 수 있도록 지원한다"고 말했다. 설계의 복잡성과 비용은 줄이고 전기차의 주행 범위 극대화 효율성 향상은 1회 충전할 때마다 주행거리를 개선하는 데 직접적인 영향을 미치기 때문에, 전기차에서 신뢰도와 전력 성능에 대한 필요성이 점점 더 증가하고 있다. 하지만 트랙션 인버터의 대부분이 이미 90% 이상의 효율로 작동하고 있다는 점을 고려할 때, 효율성을 현 수준에서 더 높이는 것은 쉽지 않다. 게이트 구동 강도를 실시간으로 20A에서 5A 사이의 단계에서 변경함으로써 설계자는 UCC5880-Q1 게이트 드라이버로 SiC 스위칭 전력 손실을 최소화하여 시스템 효율성을 최대 2%까지 개선할 수 있다. 이와 함께, 배터리 1회 충전당 최대 7마일(약 11km) 이상의 전기차 주행 거리를 확보할 수 있다. 이는 일주일에 3회 충전하는 전기차 기준으로 연간 1,000마일(약 1,600km) 이상의 추가 주행거리를 확보할 수 있다는 것을 의미한다. 또한 UCC5880-Q1의 SPI 프로그래밍 기능과 통합 모니터링 및 보호 기능은 설계의 복잡성은 물론 외부 부품 비용을 절감할 수 있다. 엔지니어는 SiC 전기차 트랙션 인버터 레퍼런스 디자인을 사용하여 부품 수를 줄이고 효율적인 트랙션 인버터 시스템을 신속하게 시제품화 할 수 있다. 맞춤형이 가능하고 테스트 설계를 마친 레퍼런스 디자인은 UCC5880-Q1, 바이어스 공급 전원 모듈, 실시간 제어 MCU 및 고정밀 감지 기능을 포함한다. 구매 정보 차량 기능 안전 ISO26262 표준을 준수하는 UCC5880-Q1의 시제품 버전은 현재 TI.com에서만 10.5-mm x 7.5-mm 32-핀 SSOP(shrink small-outline package)로 구매할 수 있다. 1,000개 단위로 5.90달러부터 구매 가능하며, 새로운 UCC5880-Q1 평가 모듈은 249달러에 구매할 수 있다. TI.com은 다양한 결제 및 배송 옵션을 제공한다.

인피니언, 전기차 트랙션 인버터용 HybridPACK™ Drive G2 전력 모듈

인피니언 전기차 전력모듈

인피니언의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET 채택 전기차용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시한다고 밝혔다. HybridPACK Drive G2는 기존에 널리 사용되고 있는 고집적 B6 패키지의 HybridPACK Drive G1을 기반으로, 동일한

넥스페리아, 전력 변환 제품용 650V SiC 다이오드 출시

650V SiC 다이오드

병합된 PiN 쇼트키 구조로 최대의 견고성과 효율성을 제공 넥스페리아 650V 실리콘 카바이드 다이오드 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 초고성능, 저손실 및 고효율이 필요한 전력 응용 제품을 위해 설계된 650V 실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 10A, 650V SiC 쇼트키 다이오드는 고전압 및 고전류 응용 제품의

ZF, ST마이크로일렉트로닉스와 SiC 디바이스 다년 공급 계약

Next Generation Mobility of ZF

2025년부터 시리즈 생산에 들어가는 ZF의 차세대 모듈식 인버터 플랫폼에 ST의 실리콘 카바이드 디바이스 통합 예정 ST, ZF에 실리콘 카바이드 디바이스 (SiC) 공급키로 모빌리티 기술 그룹인 ZF가 다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)의 실리콘 카바이드(SiC; Silicon Carbide) 디바이스를 2025년부터 구매한다.

[백서] 마이크로그리드의 효율적인 신재생 에너지 관리

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인구가 늘어나고 새로운 산업이 등장하면서 매년 전기 에너지에 대한 요구가 증가하고 있다. 늘어나는 에너지 수요를 충족하고자 현재 에너지 수요의 대부분을 차지하는 화석 연료 기반의 발전도 사용되고 있다. 이로 인해 서서히 화석 연료의 고갈과 석탄 및 천연가스의 가격 인상으로 이어지고 있다. 국제 에너지

로옴의 제4세대 SiC MOSFET, Hitachi Astemo의 전기자동차용 인버터에 채용

  탈탄소 사회의 실현을 위해 자동차의 전동화가 가속화되는 상황에서 한층 더 고효율로 소형 경량화된 전동 파워 트레인 시스템의 개발이 추진되고 있다. 특히 EV의 경우, 주행 거리 연장 및 탑재 배터리의 소형화를 위해 구동의 중핵을 담당하는 인버터의 고효율화가 과제로 중요시되어 SiC 파워 소자가 주목받는 추세다. 2010년에