전기차 견인 인버터용 D³GaN™ 전력 장치 기술은 하이브리드 및 배터리 전기차 플랫폼에 D-모드 GaN을 통합하는 VisIC의 새로운 전략 솔루션이다. 고출력 수준에서의 신뢰성, 확장성, 효율성이라는 업계의 주요 과제를 해결하는 이 기술은 자동차급 견고성에 중점을 두고 있다. D³GaN™은 기존 E-모드 GaN과 실리콘 기반 솔루션의 내재적
Tag: 인버터
ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
코플랜드, 인버터 통합 솔루션 포트폴리오 확대로 글로벌 에너지 효율 및 지속가능성 과제 해결
실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 하이브리드 솔루션 나왔다
온세미, 엘리트SiC M3e MOSFET 출시
[New] Vishay Intertechnology의 3세대 1200V SiC 쇼트키다이오드
인피니언, 1200V 62mm IGBT7 포트폴리오 확장
넥스페리아 600V IGBT, 전력 응용 제품에서 동급 최고 효율성 제공
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)인 30A NGW30T60M3DF를 출시했다. 넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 되었다고 전했다. 이를 통해 5kHz - 20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 더 높은 전력 밀도가 가능해졌다. IGBT의 기술은 그동안 많이 발전했지만 이 시장은 태양 전지판 및 전기 자동차(EV) 충전기에 점점 더 많이 채택됨에 따라 더욱 성장할 것으로 예상된다. 넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱(FS) 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다. 제품 설계자들은 중속(M3) 및 고속(H3) 계열 IGBT 제품들을 선택할 수 있다. 이 IGBT들은 매우 긴밀한 파라미터 분포로 설계되어 여러 기기들을 병렬로 안전하게 연결해준다. 이 제품들은 또한 경쟁 소자들보다 열 저항이 낮기 때문에 더 높은 출력 전력을 제공한다. 이 IGBT들은 소프트 고속 역회복 다이오드로 완전히 분류, 평가되는데 이는 정류기 및 양방향 회로 애플리케이션에 적합하거나 과전류 조건으로부터의 보호에 적합하다는 것을 의미한다. 넥스페리아의 IGBT 사업부 총괄 책임자인 케 쟝(Ke Jiang) 박사는 “당사는 이 IGBT제품들 출시를 계기로 제품 설계자들에게 더욱 광범위한