최신 전자부품 및 산업 자동화 제품을 공급하는 공인 유통기업인 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)는 온세미(onsemi)와 협력해 전력 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 반도체의 이점을 조명한 새로운 전자책을 발간했다고 밝혔다.
마우저-온세미, SiC 관련 전자책 발간SiC 디바이스는 뛰어난 소재 특성으로 보다 효율적이고, 콤팩트하며, 지속 가능한 전원 시스템을 지원할 수 있어 전력 전자장치 분야에 혁신을 일으키고 있다. ‘지속 가능한 미래를 지원하는 SiC 전력 전자장치(Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics)’ 전자책에서 온세미는 SiC의 이점과 전기자동차 및 재생에너지 애플리케이션, 그리고 올바른 SiC 파트너 선택의 중요성 등을 다루고 있다. 신뢰할 수 있는 전력 솔루션 공급사인 온세미는 안정적인 공급망과 포괄적인 설계 지원을 기반으로 고품질의 SiC 디바이스를 제공하고 있다.
또한 이 전자책에는 NTBG014N120M3P 엘리트SiC (EliteSiC) MOSFET과 같은 온세미의 전력 제품에 손쉽게 액세스할 수 있는 링크도 포함돼 있다. NTBG014N120M3P는 전력 애플리케이션에 최적화된 1200V의 M3P 플래너(Planer) SiC MOSFET이다. 플래너 기술은 음(-)의 게이트 전압으로 안정적인 동작이 가능하며, 게이트 스파이크를 턴오프할 수 있다. 이 디바이스는 태양광 인버터와 전기차 충전소, 에너지 저장 시스템 및 스위치 모드 전원공급장치(SMPS) 등에 매우 적합하다.
마우저에서 구매할 수 있는 NVBG1000N170M1 엘리트SiC MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션에 최적화된 1700V의 M1 플래너 디바이스이다. 이 디바이스는 AEC-Q101 인증 및 PPAP 지원을 갖추고 있어 전기차(EV) 및 하이브리드 전기차(HEV) 애플리케이션에 매우 적합하다. EV 및 HEV에서 SiC 디바이스는 더 작고 가벼우면서 효율적인 전력 솔루션으로 전환할 수 있는 이점을 제공한다. 에너지 소비가 적기 때문에 고가인 배터리를 더 적게 사용할 수 있게 해준다.
NCP51705 게이트 드라이버는 기본적으로 SiC MOSFET 트랜지스터를 구동하도록 설계됐다. 전도 손실을 가능한 최저 수준으로 낮출 수 있도록, 이 드라이버는 SiC MOSFET 디바이스에 대해 허용가능한 최대치의 게이트 전압을 제공할 수 있다. 또한 턴온 및 턴오프시 높은 피크 전류를 제공해 스위칭 손실을 최소화한다.
NCP51560 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버는 빠른 스위칭으로 전력 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동할 수 있도록 설계됐다. 이 디바이스는 두 개의 독립적인 갈바닉 절연 게이트 드라이버 채널을 이용해, 두 개의 로우-사이드 및 두 개의 하이-사이드 스위치, 또는 데드 타임 설정이 가능한 하프-브리지 드라이버 등 어떠한 구성에도 사용될 수 있다. N
