MACOM Technology Solutions가 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 애플리케이션을 위한 실리콘 카바이드(SiC) 공정 기술에 질화갈륨(GaN)을 구축하는 개발 프로젝트를 주도한다.
미국 국방부(DoD)를 통한 CHIPS 및 과학법에 따라 자금이 지원되는 이 프로젝트는 고전압 및 밀리미터파(mmW) 주파수에서 효율적으로 작동하는 GaN 기반 소재 및 모노리식 마이크로파 집적 회로(MMIC)를 위한 반도체 제조 공정 개발에 중점을 두고 있다.
MACOM은 Commercial Leap-Ahead for Wide Bandgap Semiconductors(CLAWS) Microelectronics Commons Hub의 회원사로서 North Carolina State University(NCSU), NCSU 분사 기업인 Adroit Materials, US Naval Research Laboratory(NRL)와 함께 이 프로젝트에 참여한다.
이 프로젝트에 투입되는 자금은 340만 달러이다. 이 프로젝트를 통해 DoD와의 일련의 GaN 기술 개발 활동이 확대되는데 여기에는 MACOM이 AFRL의 0.14μm GaN-on-SiC MMIC 공정을 매사추세츠에 있는 미국 Trusted Foundry로 이전한 2021년 미국 공군 연구소(AFRL)와의 협력 연구 개발 계약(CRADA)이 포함된다.
작년에는 mmW 애플리케이션을 위한 GaN 기술을 개발하기 위한 400만 달러 규모의 AFRL 계약과 고전력 애플리케이션을 위한 향상된 방열을 목표로 하는 최대 1,010만 달러 규모의 방위 고등 연구 계획국(DARPA) 이 수립된 바 있다. 한편 올해 초 MACOM은 최대 1,140만 달러 규모의 별도의 CHIPS 자금 지원 GaN 기술 개발 계약을 체결했다.
