핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 동기식 벅 또는 하프 브리지 구성에서 하이 사이드 및 로우 사이드 N 채널 MOSFET을 구동하도록 설계된 고성능 게이트 드라이버 IC 시리즈를 출시했다. 이 소자들은 높은 전류 출력과 뛰어난 동적 성능을 제공해 응용 제품의 효율성과 견고성을 향상시켜준다.
자동차 인증을 받은 NGD4300-Q100은 전자식 파워 스티어링 및 파워 컨버터에 이상적인 제품이다. 소비자 가전 기기, 서버 및 통신 장비의 DC-DC 컨버터와 같이 사용하는 NGD4300 제품은 다양한 산업 응용 분야에서 사용되는 마이크로 인버터용으로 설계되었다.
최대 120V의 버스 전압에서 작동하는 이 제품들의 부동 하이 사이드 드라이버는 전체 시스템 설계를 간소화하고 PCB 크기를 줄여주는 집적 다이오드와 함께 부트스트랩 전원을 사용한다. 이 제품들은 최대 4A(피크) 소스와 5A의 싱크 전류를 제공하므로 고부하에서도 짧은 상승 및 하강 시간을 보장한다.
13ns의 낮은 지연 시간을 가지는 게이트 드라이버는 불과 1ns의 우수한 채널 간 지연 정합을 제공한다. 이러한 특징은 유사한 경쟁 게이트 드라이버보다 지연 시간이 훨씬 낮으며 스위칭 듀티 사이클을 최대화하여 데드 타임을 최소화하는 데 도움을 준다.
더 높은 효율을 제공하는 4ns의 상승 및 3.5ns(통상)의 하강 시간은 고주파 및 빠른 시스템 제어를 지원하는 데 도움이 된다. 이 게이트 드라이버는 TTL 및 CMOS 로직 레벨을 모두 준수하는 입력 제어 신호를 받아들인다.
넥스페리아의 IC 솔루션 사업부 총괄 매니저 아이렌 뎅 (Irene Deng)은 “이 소자들은 당사가 내놓는 고성능 하프 브리지 게이트 드라이버의 새로운 포트폴리오 중 첫 번째 제품”이라며 “이 게이트 드라이버들의 출시는 당사가 프로세스 혁신을 통해 전력 컨버터 효율성을 높이는 동시에 소비자, 산업 및 자동차 응용 분야에서 보다 부드러운 모터 제어를 제공하는 강력한 솔루션의 수요에 적극적으로 대응하는 첫 걸음”이라고 언급했다.
한편 이 제품들은 전력 변환 및 모터 구동 응용 제품의 탁월한 견고성을 위해 SOI(silicon-on-insulator) 공정으로 제조된다. 이를 통해 HS 핀의 네거티브 전압 허용 오차를 -5V까지 확장하게 되므로 시스템 기생 부품 및 예기치 않은 스파이크로 인한 손상 위험을 크게 줄일 수 있다.
NGD4300 및 NGD4300-Q100은 DFN-8, SO-8 및 HSO-8 패키지로 다양하게 제공된다. 이에 따라 엔지니어들은 애플리케이션 요구 사항에 따라 소자의 크기와 열 성능을 유연하게 선택할 수 있다.
넥스페리아의 게이트 드라이버 IC 제품에 관한 상세 정보는 https://www.nexperia.com/products/analog-logic-ics/power-ics/gate-drivers/half-bridge-gate-drivers 에 있다.
