이노사이언스 테크놀로지(Innoscience Technology)가 접합 온도를 25% 낮추는 상단 냉각 갈륨 질화물(GaN) 트랜지스터 4종을 출시했다.
En-FCQFN 상단 냉각 패키지의 100V~150V GaN-on-Silicon 증강 모드 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 열 성능을 향상시켜준다.
En-FCQFN 상단 냉각 패키징은 열 관리를 최적화할 뿐 아니라 시스템 온도 상승도 낮춰준다.30A에서 상단 냉각 패키지의 접합 온도는 하단 냉각 패키지 유형의 52.2°C에서 39.6°C로 감소하여 25% 향상되었다.
100V INN100EQ 016A/1.8mΩ 및 025A/2.8mΩ 제품과 150V INN150EQ 032A/3.9mΩ 및 070A/7.0mΩ 제품의 핀아웃은 하단 냉각 패키지 부품과 호환된다. 이 제품들은 낮은 저항, 낮은 게이트 전하, 낮은 스위칭 손실 및 낮은 역회복 전하를 유지한다.
향상된 전기적 특성과 초소형 패키징으로 인해 이 GaN 트랜지스터 소자들은 데이터 센터, 태양광 및 에너지 저장 시스템, 모터 드라이브, 통신용 전원 공급 장치에 적용된다.
100V~150V GaN 시리즈는 WLCSP, FCQFN, LGA 및 기타 패키징 유형으로 제공된다.
