실리콘 카바이드(SiC) 솔루션의 설계자, 개발자이자 글로벌 공급업체인 SemiQ가 1200V, 하프 브리지 MOSFET 및 쇼트키 다이오드 SiC 전력 모듈의 QSiC™ 제품군에 S7 패키지를 추가했다. 이 제품들은 새로운 설계에 대한 소형, 고효율, 고성능 옵션을 제공해 전력 엔지니어의 설계 유연성을 더욱 향상시키고 더 효율적인 작동이 필요한 레거시 시스템에서 드롭인 교체를 지원한다.
S7 패키지로 출시된 529A MOSFET 모듈( GCMX003A120S7B1 ), 348A MOSFET 모듈( GCMX005A120S7B1 ) 및 두 개의 저잡음 SiC 쇼트키 다이오드 하프 브리지 모듈( GHXS300A120S7D5 및 GHXS400A120S7D5 )은 모두 업계 표준인 62.0mm 풋프린트와 불과 17.0mm의 높이를 자랑한다.
새로운 패키지는 유도 가열기, 용접 장비, 무정전 전원 공급 장치(UPS)부터 태양광 및 풍력 인버터, 에너지 저장 시스템, 고전압 DC-DC 컨버터, 전기 자동차(EV)용 배터리 충전 시스템에 이르기까지 까다로운 애플리케이션의 크기, 무게 및 전력 요구 사항을 해결해준다. 모듈 자체의 소형 폼 팩터와 더불어 고효율, 저손실 작동은 시스템 열 발산을 줄이는 데 도움이 되며 더 작은 방열판 사용을 지원한다.
고성능 세라믹으로 제작된 SemiQ 모듈은 뛰어난 성능 수준을 달성하고 전력 밀도 증가와 더욱 컴팩트한 설계를 지원한다. 특히 고주파 및 고전력 환경에서 이러한 효과가 뛰어나다.
각 모듈에 대해 안정적인 게이트 임계 전압과 프리미엄 게이트 산화물 품질을 보장하기 위해 SemiQ는 웨이퍼 수준에서 게이트 번인 테스트를 실시한다. 외부 고장률을 완화하는 데 기여하는 번인 테스트 외에도 게이트 스트레스, 고온 역방향 바이어스(HTRB) 드레인 스트레스, 고습, 고전압, 고온(H3TRB)을 포함한 다양한 스트레스 테스트를 채택하여 필요한 자동차 및 산업 등급 품질 표준을 달성했다. 모든 부품은 1400V를 초과하는 테스트를 거쳤다.
