갈륨 질화물(GaN) 전력 IC 및 실리콘 카바이드(SiC) 기술 분야의 업계 리더인 Navitas Semiconductor가 CES 2025에서 다양한 제품들을 선보였다. 이 회사는 최근 Deloitte’s Technology Fast 500™ 에서 3년 연속 가장 빠르게 성장하는 기술 회사 500위에 선정된 바 있다 .
“Planet Navitas” 스위트는 기존 실리콘에서 차세대 청정 에너지인 GaN 및 SiC 전력 반도체로의 전환을 앞당겨 ‘Electrify our World™’라는 회사의 사명을 관람객들에게 소개했다. 이러한 기술은 AI 데이터 센터, 전기 자동차(EV), 모바일과 같이 가장 높은 효율성과 전력 밀도를 요구하는 고성장 시장을 위해 설계되었다.
전시회 기간 동안 Navitas는 GaN 및 SiC 기술이 탄소 발자국을 줄이는 데 어떻게 기여하는지 보여주며 2050년까지 연간 6,000메가톤 이상의 CO 2를 절감할 수 있는 잠재력이 있음을 강조했다.
주요 기술 및 시스템 혁신은 다음과 같다.
- 세계 유일의 650V 양방향 GaNFast™ 전력 IC: 최고의 효율성과 전력 밀도, 가장 낮은 복잡성, 그리고 대폭적인 구성 요소 감소를 요구하는 차세대 솔루션을 위한 획기적인 GaN 기술.
- 세계 최초의 8.5kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치 : AI 및 하이퍼스케일 데이터 센터를 위해 98%의 효율성을 달성한 세계 최초의 8.5kW OCP 전원 솔루션. 3상 인터리브 CCM 토템폴 PFC 및 3상 LLC 토폴로지에서 고전력 GaNSafe™ 전원 IC와 Gen-3 Fast SiC MOSFET을 탑재하여 최고의 효율성, 성능 및 가장 낮은 구성 요소 수를 제공.
- 세계에서 가장 높은 전력 밀도 AI 전원 공급 장치 : Navitas는 랙당 3배 더 많은 전력을 요구하는 최신 AI GPU를 위해 가장 작은 전원 공급 장치 폼 팩터에서 효율적인 4.5kW 전력을 제공. 최적화된 설계는 고전력 GaNSafe IC와 Gen-3 Fast SiC MOSFET을 사용하여 137W/in 3 및 97% 이상의 효율성으로 세계에서 가장 높은 전력 밀도를 제공.
- AI 데이터 센터 전원 공급 장치에 최적화된 ‘ IntelliWeave’ 특허 디지털 제어 : 고전력 GaNSafe™ 및 Gen-3 ‘Fast’ SiC MOSFET과 결합하여 PFC 최대 효율을 99.3%까지 높이고 기존 솔루션에 비해 전력 손실을 30%까지 감소.
- 자동차 인증(AEC-Q101) Gen-3 고속 SiC MOSFET , ‘트렌치 지원 플래너’ 기술: 20년 이상의 SiC 혁신 리더십을 바탕으로 GeneSiC™ 기술은 ‘트렌치 지원 플래너’ 기술을 갖춘 Gen-3 ‘고속’ SiC MOSFET으로 성능을 선도. 이 독점 기술은 온도에 따라 세계 최고의 성능을 제공하여 냉각, 빠른 스위칭, 뛰어난 견고성을 제공하여 더 빠른 충전 EV와 최대 3배 더 강력한 AI 데이터 센터를 지원.
- GaNSlim ™: 간단하고 빠르며 통합적. 소형 폼 팩터, 고전력 밀도 애플리케이션의 개발을 더욱 간소화하고 가속화할 차세대 고집적 GaN 전력 IC로 최고 수준의 통합 및 열 성능을 제공. 대상 애플리케이션에는 모바일 기기 및 노트북용 충전기, TV 전원 공급 장치, 최대 500W의 조명 시스템이 포함.
- SiCPAK™ 고전력 모듈 – 내구성과 성능을 위해 제작: 업계를 선도하는 ‘트렌치 지원 플래너’ 게이트 기술과 에폭시 수지 포팅을 활용하여 전력 사이클링을 높이고 오래 지속되는 신뢰성을 제공하는 SiCPAK 모듈. 소형 폼 팩터로 EV 충전, 드라이브, 태양광, 에너지 저장 시스템(ESS)을 포함한 애플리케이션을 위한 비용 효율적인 전력 밀도 솔루션을 제공.
