로옴 (ROHM)이 최근 양산을 시작한 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL (TO-LeadLess) 패키지 제품 「GNP2070TD-Z」는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수하여, 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다.
이번 패키지징제조는 반도체 후공정 기업 (OSAT)으로서 풍부한 실적을 보유한 ATX SEMICONDUCTOR 에 위탁했다.
신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재하여 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표 (RDS(ON)×Qoss)에 있어서, 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다.
로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 그리고, 2024년 12월 10일에 발표한 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC)와의 협업의 일환으로 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 오토모티브용 GaN 소자의 생산에서도 협업을 예정하고 있다.
오토모티브 분야에서 GaN 소자의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상하고 있다. 로옴은 자사 개발뿐 아니라 협업 활동을 강화함으로써 오토모티브용 GaN 소자의 신속한 시장 투입을 실현해 나갈 계획이다.
