onsemi의 SiC JFET는 VDS-max가 650V~1700V인 고성능, 정상 작동 JFET 트랜지스터이다. 이 제품은 높은 스위칭 주파수를 제공하고 다른 모든 기술의 절반도 안 되는 다이 크기를 활용하여 불과 4mohm에서 시작하는 매우 낮은 온 저항(RDS(on))을 제공한다.
게이트 전하(Qg)가 낮아 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 줄여주는 SiC JFET는 전원 공급 장치(PSU) 및 다운스트림 고전압 DC-DC 변환에서 사용되는 용도 중 하나에 최적화되어 미래의 AI 데이터 센터 랙의 엄청난 전력 요구 사항을 처리한다.
또한 EV 배터리 분리 장치에서 여러 부품들을 SiC JFET 기반 솔리드 스테이트 스위치로 교체하면 효율성과 안전성이 개선된다. 특정 에너지 저장 토폴로지와 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB)를 사용할 수 있다.
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