이 글에서는 지능형 GaN HEMT(ICeGaN)와 IGBT의 병렬 조합을 제시한다. Combo ICeGaN이라고 하는 스위치는 경부하에서 매우 높은 효율을 유지하고 견고성을 향상시키기 위해 통합 감지 및 보호 기능을 제공한다. 기존 솔루션에 비해 성능과 비용 간의 탁월한 균형을 제공하는 이 솔루션의 트랙션 인버터적용은 IGBT 전용 솔루션에 대한 대안이 될 것으로 보인다.
Cambridge GaN Devices의 CTO인 플로린 우드레아 교수가 2024년 12월 11일 미국 샌프란시스코에서 열린 International Electron Devices Meeting(IEDM) 에서 발표한 혁신적인 ICeGaN® Combo 는 지능형 GaN HEMT(ICeGaN®)와 IGBT를 병렬로 통합한 것으로 솔루션은 EV 트랙션 인버터와 같은 많은 애플리케이션이 직면한 주요 과제인 낮은 경부하 효율을 해결하도록 설계되었다.
논문에서는 ICeGaN® Combo가 게임 체인저인 이유를 설명하는 더 자세한 내용이 다음과 같이 공개되었다.
• GaN에 대한 장벽 깨기 : GaN HEMT는 높은 스위칭 주파수와 효율성으로 유명하지만 종종 저전력 애플리케이션에 국한되어 왔다. ICeGaN® 콤보는 고전력 사용 사례에서 GaN의 잠재력을 끌어낸다.
• EV 인버터를 위한 향상된 경부하 효율성 : 비교할 수 없는 경부하 효율성과 견고한 고전력 성능을 갖춘 이 혁신적인 ICeGaN® 콤보 스위치는 경부하 작동이 사용의 85% 이상을 차지하는 전기 자동차(EV) 인버터에 적합하다.
• 두 세계의 장점 : ICeGaN®은 스마트 통합 기능으로 경부하, 저온 작동에서 탁월하고, IGBT는 눈사태 기능을 포함하여 고전력, 고온 조건에서 빛을 발한다.
• SiC에 대한 실행 가능한 대안 : 효율성, 비용, 견고성의 뛰어난 균형을 제공하는 ICeGaN® 콤보는 성장하는 고효율 EV 인버터 시장에서 SiC 또는 SiC와 IGBT의 하이브리드 솔루션에 대한 실행 가능한 대안이다.
상세한 전문은 https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10873403에서 유료로 가입한 후 억세스할 수 있다.
