STMicroelectronics와 Innoscience가 최근 GaN 기술 개발 및 제조에 대한 계약을 체결했다.
이에 따라 Innoscience는 중국 외 ST의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할 수 있게 되었다. 이 공동 개발 계약에 의해 ST는 중국에 있는 Innoscience의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할 예정이다.
각 회사의 공통된 목표는 광범위한 응용 분야에서 모든 고객 요구 사항을 충족할 수 있는 공급망의 유연성과 회복력을 갖춰 GaN에서 개별 제공 범위를 확장하는 것이라는 데에 의미가 있다.
ST마이크로일렉트로닉스 아날로그, 전력 및 디스크리트, MEMS 및 센서 부문 사장인 마르코 카시스는 “이번 계약을 통해 ST는 전 세계 고객에게 이 모델을 활용하여 이익을 제공하게 된다. 당사는 실리콘 및 SiC 제품군을 보완하기 위해 GaN 전력 기술 로드맵을 가속화하는 동시에 유연한 제조 모델을 활용하여 전 세계 고객에게 서비스를 더욱 확대할 것이다.”라고 말했다.
한편 Innoscience의 회장이자 창립자인 웨이웨이 루오는 “GaN 기술은 전자 기기 개선해 더 작고 효율적인 시스템을 만들어 전력을 절약하고 비용을 낮추며 CO2 배출량을 줄이는 데 필수적”이라며 ” ST와의 공동 협력을 통해 GaN 기술 개발에 더욱 박차를 가하겠다”라고 포부를 밝혔다.
