SiC 솔루션 개발업체인 SemiQ가 PCIM 2025에서 고전력 SiC MOSFET 및 모듈과 관련된 여러 가지 첨단 기술을 선보이고 있다. SemiQ는 특히 Alfatec과 협력하여 최근 출시한 3세대 SiC 기술과 비용, 저항 및 열 관리를 위한 시스템을 최적화하는 광범위한 모듈 등을 시연 중이다.
PCIM에서 전시되는 SiC 기술에는 1200V SOT-227 MOSFET 모듈이 포함된다. SemiQ의 3세대 SiC 모듈은 8.4mΩ에서 39mΩ까지의 RDSon으로 제공되며, 탁월한 스위칭 속도와 낮은 접합부-케이스 열 저항으로 손실 감소를 제공하는 것이 특징이다.
SemiQ는 이 전시회에서 베어 다이(bare die) 및 TO-247 4L 패키지로 제공되는 자동차용 QSiC 1200V MOSFET도 을 선보이고 있다. 자동차 시스템에 대한 AEC-Q101 인증을 획득한 이 3세대 SiC 소자는 다이 크기를 줄이는 동시에 스위칭 속도와 효율을 향상시키며, 16mΩ에서 80mΩ 사이의 RDSon을 제공한다.
전시 품목에는 태양광 인버터, 에너지 저장 장치, 배터리 충전용 1200V 풀브리지 모듈도 포함된다. 이 모듈은 최대 333W의 전력을 공급하며 최대 102A의 연속 방전 전류를 제공하여 까다로운 DC 애플리케이션에서 전력 밀도와 효율의 새로운 기준을 제시하고 있다.
