GE Aerospace가 4세대 SiC 전력 MOSFET 칩을 발표했다. 5mm x 5mm 칩 크기로 제공되는 최신 세대 SiC 전력 소자는 1200V, 11mΩ를 제공하며, 온도 정격은 200°C이다.
산업계가 하이브리드 및 배터리 전기 자동차(HEV 및 BEV) 플랫폼에 첨단 반도체를 도입함에 따라 이러한 전력 장치는 효율성과 전력 밀도에 있어 획기적인 변화를 가져올 것으로 보인다. 한편 GE는 자동차 부문과 데이터 센터 산업에서 적극적으로 새로운 협업을 모색중이다.
GE 에어로스페이스의 전기 전력 시스템 부문 사장 겸 총괄 매니저인 크리스 셰퍼드는 “최신 4세대 SiC MOSFET은 자동차, 재생 에너지, AI 데이터 센터, 산업용 전력 등 다양한 산업 분야에서 매우 매력적인 성능을 제공하는 획기적인 성능 변화를 제공한다.”라고 언급하며 “이러한 산업은 모든 애플리케이션에서 효율성, 신뢰성, 전력 밀도를 향상시키게 된다”라고 설명했다.
한편 GE 에어로스페이스는 전력 사업을 통해 SiC 기반 전력 생산, 배전 및 변환 솔루션을 판매하여 항공우주, 해양 및 지상 기반 플랫폼을 지원한다.
