Navitas Semiconductor의 3300V 및 2300V 초고전압(UHV) 제품은 파워 모듈, 디스크리트 및 KGD(Known Good Die) 형태로 제공되는 SiC 제품으로서 초고전압 전력 전자 분야의 신뢰성과 향상된 성능에 대한 기준을 제시한다.
이 3300V 및 2300V UHV 소자는 TAP 아키텍처를 사용하여 다단계 전기장 관리 프로파일을 구현하는 Navitas의 4세대 GeneSiC™ 플랫폼을 기반으로 한다. 이를 통해 트렌치 및 기존 평면 SiC MOSFET에 비해 전압 스트레스를 크게 줄이고 전압 차단 기능을 향상시켜주므로 이 TAP 아키텍처는 향상된 장기 신뢰성과 애벌랜치 강건성을 제공한다.
Navitas의 TAP 기술은 또한 탁월한 셀 피치 밀도와 향상된 전류 확산을 위한 최적의 소스 접촉을 특징으로 한다. 이를 통해 스위칭 성능 지수(FOM)가 향상되고 고온에서 온 저항이 낮아진다.
이 제품은 고전력 밀도 및 고신뢰성 시스템을 위해 하프 브리지 및 풀 브리지 회로 구성으로 제공되는 고급 SiCPAK™ G+ 전력 모듈 패키지에 통합된다.
SiCPAK™ G+ 전력 모듈은 고유한 에폭시 수지 포팅 기술을 특징으로 하며, 이는 유사한 실리콘 겔 포팅 전력 모듈 기술에 비해 전력 사이클 수명을 60% 이상 향상시키고 열 충격 안정성을 10배 이상 향상시키는 것으로 입증되었다.
SiCPAK™ G+ 전력 모듈은 탁월한 방열 성능을 위한 AlN DBC 기판과 핀당 전류 전달 용량을 두 배로 높이는 새로운 고전류 프레스핏 핀을 특징으로 한다. 이 디스크리트 SiC MOSFET은 업계 표준 TO-247 및 TO-263-7 패키지로 제공된다.
