MOSFET과 IGBT의 핵심적인 차이점은 내부 구조와 전도 캐리어 유형에 있다. 구조적으로 MOSFET은 단일 전계 효과 트랜지스터 아키텍처를 특징으로 하는 반면, IGBT는 MOSFET 게이트와 바이폴라 트랜지스터 출력을 결합한 형태이다.
전도 캐리어 측면에서 MOSFET은 다수 캐리어에만 의존하는 단극성 소자인 반면, IGBT는 다수 캐리어와 소수 캐리어 모두를 필요로 하는 양극성 소자이다. 이러한 근본적인 차이로 인해 MOSFET은 서로 다른 특성을 나타낸다.
MOSFET은 스위칭 속도가 빠르지만 고전류에서 손실이 크고, IGBT는 고전류를 처리할 수 있지만 스위칭 속도가 상대적으로 느리다. 이러한 차이점은 각각의 적용 분야를 직접적으로 결정한다.
주요 차이점: 속도, 전압 및 효율
IGBT와 MOSFET의 적용 분야 차이는 근본적으로 전압 정격, 스위칭 속도, 전도 손실, 전력 처리 능력이라는 네 가지 핵심 요소에서 비롯된다. 이러한 매개변수는 다양한 전력 및 주파수 환경에서 소자의 효율성과 신뢰성을 직접적으로 결정하며, 엔지니어에게 중요한 선택 기준이 된다.
