업계 최고의 삽입 및 반사 손실을 제공하는 TrEOS 기반 보호 기능
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 고속 데이터 라인에서 리타이머 및 리드라이버와 함께 사용하도록 최적화된 두 개의 정전기 방전(ESD) 보호 소자 2종을 출시했다.
PESD2V8Y1BSF는 USB4 (썬더 볼트) 인터페이스를 보호하도록, PESD4V0Y1BCSF는 USB4 및 HDMI 2.1과 함께 사용하도록 설계되었다. 이 제품들은 넥스페리아의 입증된 TrEOS 기술을 사용해 낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성을 제공한다.
리타이머 및 리드라이버는 일반적으로 고속 USB4 인터페이스 설계에 사용된다. 그러나 낮은 기생 인덕턴스를 가지는 짦은 보드 트레이스로 인해 전체 시스템 레벨 ESD 견고성 감소라는 의도치 않은 결과를 가져온다.
PESD2V8Y1BSF 및 PESD4V0Y1BCSF는 낮고 매우 빠른 전송 라인 펄스(vfTLP) 피크 클램핑 전압을 제공하는데 이 전압은 표준 I(V) TLP 곡선에서 가시적인 트리거 전압이 없는 USB4 보호 솔루션보다 훨씬 낮다. 그 결과 보호 기능과 리타이머 사이에서 일어나는 인덕턴스 감소가 보상되므로 전체 시스템 레벨 ESD의 견고성이 높아진다.
이 제품들은 ESD에 대한 예산 손실 권장 사항을 준수하기 위해 삽입 손실(-0.29dB @ 10GHz) 및 반사 손실(-20.6dB @ 10GHz)이 매우 낮도록 설계되었다. 이 소자들은 다른 솔루션들과 달리 정전 용량이 작동 전압과 함께 올라가지 않으므로 역방향 스탠드오프 전압까지 RF 성능을 충분히 제공하는 특징을 제공한다.
PESD2V8Y1BSF 및 PESD4V0Y1BCSF는 보호 중인 소자의 커넥터 바로 옆에 즉시 배치할 수 있기 때문에 다른 ESD 보호 소자들보다 설계 유연성이 뛰어나다. 이는 AC 커플링 커패시턴스도 보호된다는 것을 의미한다. 또한 ESD 보호와 보호 소자 사이에 대부분의 라인 인덕턴스를 배치하므로 전체 시스템 ESD 성능을 최적화해준다.
넥스페리아의 시니어 제품 매니저인 스테판 사이더(Stefan Seider)는 ” ESD 보호가 전체 시스템 예산에 미치는 영향을 최소화하는 당사의 제품은 고속 USB4 데이터 라인의 삽입 및 반사 손실에 대한 엄격한 예산을 충족시켜준다”며 시스템 레벨 ESD 견고성 및 RF 성능 사이에 최적의 균형을 제공하는 이 소자들이 설계 엔지니어들에게 좋은 솔루션이라고 강조했다.
PESD2V8Y1BSF는USB Type-C를 통해 연결할 수 있는 USB3.2와 같은 이전 인터페이스 표준과 하위 호환성을 유지하기 위해 역방향 스탠드오프 전압(VRWM = 2.8V)을 가지며 PESD4V0Y1BCSF는VRWM 이 4V이므로 HDMI 2.1에도 적합하다. 두 소자 모두에 적용된 TrEOS 기술의 RF 성능은 작동 전압 범위에서 저하되지 않는다. 이 제품들은 USB4 및 HDMI 2.1 외에도 PCIe 또는 DisplayPort 인터페이스를 보호하는 데에 사용된다.
