다이닛폰인쇄주식회사(Dai Nippon Printing; DNP)가 2nm(nm: 10⁻⁹m) 세대 이상의 로직 반도체에서 사용할 포토마스크에 요구되는 미세 패턴 해상도를 성공적으로 달성했다. 이 포토마스크는 반도체 제조 분야의 최첨단 공정인 극자외선(EUV) 리소그래피를 지원한다.
또한 DNP는 고개구수(High-Numerical Aperture)[2]에 호환되는 포토마스크용 기준 평가를 완료했으며 평가용 포토마스크 공급을 개시했다. 고개구수는 2nm 세대 이상의 차세대 반도체에 고려되고 있는 기술이다.
하이 NA EUV 리소그래피는 실리콘 웨이퍼에서 기존에 가능했던 것보다 높은 해상도로 미세 패턴 형성을 가능하게 하며 고성능, 저전력 반도체의 실현을 이끌 것으로 기대된다.
2nm 세대 이상의 EUV 리소그래피에 사용할 포토마스크를 실현하기 위해서는 3nm 세대의 패턴보다 20% 더 작은 패턴이 필요하다. 이는 패턴의 크기와 모양뿐만 아니라 동일한 마스크 표면에서 모든 유형의 미세 패턴을 해결하기 위해 기술까지 필요하다는 것을 의미한다.
여기에는 표준적인 직선 및 직사각형 패턴은 물론 점점 더 복잡해지는 곡선형 패턴도 포함된다. DNP는 확립된 3nm 세대 제조 공정을 기반으로 반복 개선을 이룸으로써 2nm 세대 이상에 필요한 패턴 해상도를 달성했다.
하이 NA-EUV 리소그래피에 사용될 포토마스크에는 표준 EUV 리소그래피의 공정보다 더 높은 정밀성과 더 세밀한 공정이 필요하다. DNP는 전통적인 EUV 리소그래피 포토마스크 공정과는 다른 제조 공정 흐름을 확립하고 최적화했다.
DNP는 2nm 세대 로직 반도체에 사용될 포토마스크의 대량 생산을 FY 2027년에 개시할 계획이다. 한편DNP는 1nm 세대를 염두에 두고 포토마스크 제조 기술 개발을 촉진하기 위해 IMEC과의 협력을 계속 이어나갈 것이다.
