onsemi의 SiC JFET는 VDS-max가 650V~1700V인 고성능, 정상 작동 JFET 트랜지스터이다. 이 제품은 높은 스위칭 주파수를 제공하고 다른 모든 기술의 절반도 안 되는 다이 크기를 활용하여 불과 4mohm에서 시작하는 매우 낮은 온 저항(RDS(on))을 제공한다.
게이트 전하(Qg)가 낮아 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 줄여주는 SiC JFET는 전원 공급 장치(PSU) 및 다운스트림 고전압 DC-DC 변환에서 사용되는 용도 중 하나에 최적화되어 미래의 AI 데이터 센터 랙의 엄청난 전력 요구 사항을 처리한다.
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또한 EV 배터리 분리 장치에서 여러 부품들을 SiC JFET 기반 솔리드 스테이트 스위치로 교체하면 효율성과 안전성이 개선된다. 특정 에너지 저장 토폴로지와 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB)를 사용할 수 있다.
https://www.onsemi.com/design/technical-documentation#ZHQ9QXBwbGljYXRpb24gTm90ZXM7cHQ9MTAzMTcyOw==를 클릭하면 애플리케이션 노트들을 볼 수 있다.
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