영국의 다이넥스 세미컨덕터(Dynex Semiconducror)가 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 초고속 스위칭, 고효율 및 향상된 열 관리를 제공하도록 설계된 새로운 450A, 650V GaN 하프 브리지 전력 모듈을 개발했다.
이 새로운 모듈은 첨단 반도체 기술과 혁신적인 패키징을 결합하여 전기차 전력 시스템, 신재생 에너지 인버터, 에너지 저장 시스템, 데이터 센터 전원 공급 장치, 고속 충전 인프라 등에서 최고의 성능을 발휘하도록 설계되었다.
450A의 연속 전류 용량을 가진 이 모듈은 650V의 차단 전압, 하프 브리지 인버터 구성, 평면 PCB 임베딩 기술, 양면 냉각 구조, 1nH 미만의 초저 정류 루프 인덕턴스를 특징으로 한다.
모듈의 평면 PCB 임베딩 기술은 전력 루프 내의 기생 인덕턴스를 최소화하여 매우 빠르고 안정적인 스위칭 성능을 구현한다. 모듈의 양면 냉각 평면 패키지 구조는 반도체 접합부와 냉각 시스템 사이의 열 저항을 줄여 안정적인 작동 온도를 유지하면서 더 높은 전력 밀도를 가능하게 한다.
