Navitas Semiconductor의 UHV-TO-247-4-ISO 패키지는12mm 이상의 핀 간 연면 거리와 6000V 이상의 통합 절연 성능으로 고성능 개별 전력 소자의 새로운 기준을 제시한다.
이 패키지는 1200V~3300V GeneSiC SiC MOSFET용으로 특별히 설계되어 컴팩트한 개별 소자 형태로 모듈형 성능을 제공한다. 표준 비절연 스루홀 패키지와 달리 외부 고전압 절연이 필요 없을 뿐만 아니라 열 및 EMI 성능도 향상시켜주는 것도 특징이다.
Navitas는 이 패키지를 채용함으로써 SiCPAK® 전력 모듈, QDPAK, TO-247-LP 및 기타 고성능 솔루션을 포함하는 패키징 포트폴리오를 확장해 에너지, 전력망 및 AI 데이터 센터에서 더욱 효율적이고 집적도 높으며 확장 가능한 전력 시스템을 구현할 수 있게 되었다.
시스템 이점:
- 통합 고전압 절연: 알루미늄 질화물(AlN) 기판을 통합함으로써 이 패키지는 6000V를 초과하는 강력한 고전압 절연을 제공하여 외부 절연 재료가 필요 없고 시스템 설계가 간소화된다.
- 직접 냉각 및 리플로우 호환 열 관리: 고전압 절연 및 리플로우 호환 열 패드를 통해 패키지를 액체 또는 공랭식 방열판에 직접 장착할 수 있어 외부 열전도성 물질(TIM)이 필요 없다. 이를 통해 열전도율(RTH ,J-HS)이 최대 60%까지 감소하여 전력 방출 능력이 최대 150%까지 향상되고, 전력 밀도, 신뢰성, 제조 용이성 및 전체 시스템 비용이 개선된다.
- 감소된 커플링 커패시턴스 및 방사 EMI: 통합된 고전압 절연은 외부 세라믹 기반 절연기에 비해 다이와 방열판 사이의 부유 커패시턴스를 감소시켜 공통 모드 노이즈와 방사 EMI를 효과적으로 최소화한다. 이를 통해 스위칭 속도를 높이고 전력 밀도를 향상시키며 시스템 효율을 높이고 EMI 저감과 관련된 시스템 수준 비용을 절감할 수 있다.
- 탁월한 전력 및 열 사이클링 수명: 고성능 AlN 기판과 활성 금속 브레이징(AMB) 기술, 그리고 견고한 리플로우 호환 방열판 인터페이스를 기반으로 제작된 이 패키지는 시스템 스택에서 외부 열전도성 물질(TIM) 및 절연 재료가 필요 없어 탁월한 전력 사이클링 성능과 향상된 열 사이클링 수명을 제공한다.
- 업계 표준 폼 팩터 및 풋프린트: 기존 고전압 TO-247-4 폼 팩터 및 리드 형상과 호환되는 이 패키지는 재설계 없이 손쉬운 시스템 통합을 가능하게 하며, 탁월한 성능, 향상된 신뢰성 및 낮은 총 시스템 비용을 제공한다.
