매그나칩반도체의 AI 서버 및 전기차 충전기(EV Charger)용 6세대 600V SJ(Super Junction) MOSFET는 36mΩ 및 37mΩ의 낮은 RDS(ON)을 구현해 전도 손실을 최소화했다.
게이트와 소스 사이에 Zener Diode를 내장해 정전기 방전(ESD)으로 인한 소자 손상을 방지해 신뢰도를 높인 이 제품은 칩 크기를 이전 세대 대비 크게 줄여 더 높은 전력 밀도와 향상된 설계 유연성을 제공한다.
특히 MMTB60R037G6FZVRH 제품은 Fast Recovery Body Diode를 내장해 역방향 회복시간(Trr) 및 스위칭 손실을 줄일 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 고주파 스위칭 환경에서 보다 높은 시스템 효율을 구현할 수 있으며, 전력 변환 과정에서 발생하는 에너지 손실을 줄이는데 기여한다.
이번 신제품은 TOLL 패키지를 적용해 고전력·고전류 애플리케이션의 요구사항을 충족하도록 설계됐으며, Kelvin Source 구조를 채택해 기생 인덕턴스를 줄이고 스위칭 안정성을 향상시킨다.
